大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-15页 |
| ·太阳电池研究的重要意义 | 第9页 |
| ·太阳电池研究的历史回顾 | 第9-10页 |
| ·太阳电池的结构类型 | 第10-11页 |
| ·多晶Si薄膜太阳电池 | 第11-13页 |
| ·本研究采取的实验方法 | 第13-15页 |
| 第2章 实验方法 | 第15-23页 |
| ·沉积方法与实验装置 | 第15-18页 |
| ·沉积方法 | 第15页 |
| ·LPCVD实验装置 | 第15-17页 |
| ·HFCVD实验装置 | 第17-18页 |
| ·实验条件 | 第18-19页 |
| ·HFCVD直接制备大晶粒多晶Si薄膜 | 第19页 |
| ·制备绒面衬底 | 第19页 |
| ·LPCVD与HFCVD结合制备多晶Si薄膜 | 第19页 |
| ·多晶Si薄膜的结构表征 | 第19-21页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第20页 |
| ·X射线衍射仪 | 第20-21页 |
| ·α-台阶仪 | 第21页 |
| ·薄层电阻的测量 | 第21-23页 |
| 第3章 大晶粒多晶Si薄膜的生长 | 第23-30页 |
| ·制备多晶Si薄膜的方法 | 第23-24页 |
| ·CVD制备多晶Si薄膜的生长机理 | 第24-25页 |
| ·多晶Si薄膜沉积过程 | 第24-25页 |
| ·多晶Si薄膜的生长速率 | 第25-30页 |
| ·薄膜生长速率与沉积温度的关系 | 第25-27页 |
| ·薄膜生长速率与SiH_4浓度的关系 | 第27-28页 |
| ·生长速率与反应室压强的关系 | 第28-29页 |
| ·薄膜厚度与生长时间的关系 | 第29-30页 |
| 第4章 大晶粒多晶Si薄膜的结构特征 | 第30-41页 |
| ·多晶Si薄膜成核以及成膜的机理 | 第30-31页 |
| ·大晶粒多晶Si对薄膜的影响 | 第31-32页 |
| ·多晶Si薄膜的择优取向 | 第32-33页 |
| ·工艺条件对多晶Si薄膜形成的影响 | 第33-41页 |
| ·沉积温度对于晶粒的影响 | 第33-35页 |
| ·沉积时间对于晶粒的影响 | 第35-38页 |
| ·反应气源浓度对于薄膜晶粒的影响 | 第38-39页 |
| ·反应压强对于薄膜晶粒的影响 | 第39-41页 |
| 第5章 进一步改善薄膜质量的工艺探讨 | 第41-48页 |
| ·制备绒面衬底 | 第41-44页 |
| ·腐蚀时间对晶粒尺寸的影响 | 第42-43页 |
| ·腐蚀液浓度对晶粒尺寸的影响 | 第43-44页 |
| ·利用LPCVD和HFCVD相结合工艺 | 第44-46页 |
| ·后扩散掺杂 | 第46-48页 |
| 第6章 结束语 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
