| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 序 | 第8-11页 |
| 第一章 化学机械抛光技术现状 | 第11-28页 |
| ·CMP技术发展背景 | 第11-13页 |
| ·CMP技术研究现状 | 第13-23页 |
| ·抛光垫(pad)方面的研究 | 第15-17页 |
| ·抛光液(slurry)方面的研究 | 第17-20页 |
| ·抛光中温度场方面的研究 | 第20-22页 |
| ·抛光工艺参数方面的研究 | 第22-23页 |
| ·CMP机理研究 | 第23页 |
| ·本论文的主要研究任务和意义 | 第23-28页 |
| ·论文研究任务 | 第25-26页 |
| ·论文意义 | 第26-28页 |
| 第二章 非接触化学机械抛光的材料去除模型 | 第28-47页 |
| ·建模分析 | 第30-39页 |
| ·建模 | 第30-37页 |
| ·单个磨粒的材料去除率MRR计算 | 第37-38页 |
| ·有效磨粒数N_a的计算: | 第38-39页 |
| ·整体材料去除率MRR_t和材料去除深度MRR_(th)的计算 | 第39页 |
| ·模型的验证 | 第39-43页 |
| ·模型的数值模拟及讨论 | 第43-45页 |
| ·晶片的相对速度u对材料去除深度MRR_(th)的影响 | 第43页 |
| ·晶片所受载荷w_z对材料去除深度MRR_(th)的影响 | 第43页 |
| ·流体粘度η对材料去除深度MRR_(th)的影响 | 第43-44页 |
| ·磨粒半径r对材料去除深度MRR_(th)的影响 | 第44-45页 |
| ·结论 | 第45-47页 |
| 第三章 抛光垫对CMP中抛光液流动的影响 | 第47-56页 |
| ·建模分析 | 第47-50页 |
| ·仿真结果 | 第50-55页 |
| ·压力分布的轮廓图 | 第51页 |
| ·多孔性的影响 | 第51-53页 |
| ·粗糙度的影响 | 第53-54页 |
| ·弹性的影响 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| 第四章 总结和展望 | 第56-59页 |
| ·全文总结 | 第56-57页 |
| ·研究展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 作者简历 | 第63-65页 |
| 学位论文数据集 | 第65页 |
