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纳米磁性器件的微磁学精确模拟

摘要第1-5页
Abstract第5-12页
第1章 绪论第12-37页
   ·硬盘工业与写磁头器件第12-17页
   ·应用磁学理论发展的回顾第17-35页
     ·磁畴理论第17页
     ·微磁学理论第17-22页
     ·微磁学模拟方法介绍第22-24页
     ·写磁头的微磁学模拟第24-27页
     ·边界条件的准确性研究第27-29页
     ·磁滞回线的计算第29-32页
     ·FeCo 材料介绍第32-35页
   ·本文研究的主要内容第35-37页
第2章 任意形状纳米尺度磁性器件的微磁学模型第37-64页
   ·本章引言第37-38页
   ·微磁学单元退磁矩阵的解析解第38-44页
     ·具有均匀磁荷的长方形表面贡献的退磁矩阵第38-39页
     ·具有均匀磁荷的三角形表面贡献的退磁矩阵第39-43页
     ·微磁学单元退磁矩阵第43-44页
   ·算法改善第44-45页
     ·静磁相互作用的计算第44-45页
     ·微磁学单元之间交换相互作用场的计算第45页
   ·程序的验证第45-62页
     ·标准问题#3 和#4 的讨论第45-50页
     ·微磁学单元极限大小的讨论第50-52页
     ·含棱柱单元的微磁学模型准确性的讨论第52-62页
   ·本章小结第62-64页
第3章 写磁头以及硬磁纳米岛的动态特性研究第64-88页
   ·本章引言第64-65页
   ·磁荷驱动下的反转性能第65-69页
   ·电流驱动下的反转性能第69-79页
     ·尖端厚度的影响第70-74页
     ·阻尼常数的影响第74-76页
     ·软磁底层厚度的影响第76-79页
   ·两种驱动的结果比较第79-82页
   ·硬磁纳米岛反转性质研究第82-86页
   ·本章小结第86-88页
第4章 写磁头 FeCo 薄膜磁滞回线的研究第88-101页
   ·本章引言第88-89页
   ·软磁薄膜微磁学模型的改进第89-93页
     ·微结构的引入和磁性参数的设定第89-90页
     ·各向异性场的计算第90-92页
     ·磁致伸缩效应和应力场第92-93页
   ·模拟结果讨论第93-99页
     ·薄膜厚度的影响第96页
     ·应力状态的影响第96-98页
     ·晶界处饱和磁化强度的影响第98页
     ·晶粒排列整齐性的影响第98-99页
   ·本章小结第99-101页
第5章 含微结构写磁头尖端性能的模拟第101-110页
   ·本章引言第101页
   ·模型的介绍第101-102页
   ·尖端部分的反转第102-104页
     ·阻尼常数的影响第102-103页
     ·易轴方向的影响第103-104页
   ·磁导率的计算第104-108页
     ·两种模型的比较第104-105页
     ·易轴方向的影响第105-106页
     ·含微结构模型与简单模型的比较第106-108页
   ·本章小结第108-110页
结论第110-112页
参考文献第112-122页
致谢第122-124页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第124-125页

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