半导体光致发光特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·光致发光研究及应用 | 第7-8页 |
| ·本文主要工作 | 第8-11页 |
| 第二章 光致发光能带结构设计 | 第11-19页 |
| ·半导体发光基础理论 | 第11-12页 |
| ·能带结构设计 | 第12-19页 |
| ·基本能带结构设计 | 第12-15页 |
| ·平带结构与渐变结构 | 第15-17页 |
| ·小结 | 第17-19页 |
| 第三章 光吸收层结构设计 | 第19-33页 |
| ·ISE TCAD 光学吸收介绍 | 第19-21页 |
| ·光吸收层设计 | 第21-33页 |
| ·选取激活光 | 第21页 |
| ·渐变区域选择 | 第21-25页 |
| ·外体区吸收层设计 | 第25-29页 |
| ·外激活区吸收层设计 | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 第四章 发光区域设计 | 第33-43页 |
| ·ISE TCAD 光学发射介绍 | 第33页 |
| ·发光基础理论 | 第33-34页 |
| ·复合基础理论 | 第33-34页 |
| ·选取材料要求 | 第34页 |
| ·发光区域材料 | 第34-38页 |
| ·GaAs 材料 | 第35-36页 |
| ·InGaAs 材料 | 第36-37页 |
| ·对比二者材料 | 第37-38页 |
| ·发光区域几何结构设计 | 第38-41页 |
| ·发光区域为大尺寸 | 第38-39页 |
| ·发光区域为量子尺寸 | 第39-41页 |
| ·分析结果 | 第41-43页 |
| 第五章 光致发光器件结构优化 | 第43-65页 |
| ·结构层整体优化 | 第43-48页 |
| ·发光区域掺杂浓度设计 | 第48-51页 |
| ·不同光激活波长分析 | 第51-60页 |
| ·紫光激发时结构层整体优化 | 第51-59页 |
| ·紫光激发时发光区域掺杂浓度优化 | 第59-60页 |
| ·不同光激活能分析 | 第60-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
