| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| ·硅基CMOS 集成电路技术发展概况 | 第9-11页 |
| ·纳米CMOS 器件面临的挑战 | 第11-19页 |
| ·纳米CMOS 器件中的可靠性研究 | 第19-20页 |
| ·本论文的主要工作 | 第20-22页 |
| 2 超薄栅介质直接隧穿电流计算 | 第22-42页 |
| ·MOS 结构中的表面电场效应和强反型层形成 | 第22-26页 |
| ·沟道反型层的二维电子气模型 | 第26-28页 |
| ·氧化层电流的传导机制 | 第28-30页 |
| ·隧穿电流模型 | 第30-39页 |
| ·结果及讨论 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 3 超薄氧化层软击穿后的电流模型 | 第42-55页 |
| ·氧化层的击穿机制 | 第42-44页 |
| ·软击穿给器件可靠性带来的影响 | 第44-46页 |
| ·软击穿模型的研究现状 | 第46-49页 |
| ·超薄氧化层软击穿后的电流模型 | 第49-52页 |
| ·结果及讨论 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 4 高k 栅介质MOS 电容漏电及软击穿特性的实验研究 | 第55-65页 |
| ·概述 | 第55-56页 |
| ·样品制备流程 | 第56-59页 |
| ·测量结果与讨论 | 第59-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 5 总结 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 附录 攻读学位期间发表论文目录 | 第73页 |