| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·自旋电子学研究的兴起 | 第7页 |
| ·自旋电子学研究进展 | 第7-14页 |
| ·磁隧道双结研究 | 第14-15页 |
| ·本文主要研究工作 | 第15-17页 |
| 第二章 理论模型和公式计算 | 第17-30页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·理论模型 | 第17-19页 |
| ·隧穿系数计算和分析 | 第19-28页 |
| ·自旋极化率和隧穿磁电阻 | 第28-30页 |
| 第三章 计算结果与分析 | 第30-41页 |
| ·Rashba自旋轨道耦合强度和隧穿系数 | 第30-33页 |
| ·半导体波导长度和隧穿系数 | 第33-35页 |
| ·自旋极化率和隧穿磁电阻 | 第35-39页 |
| ·绝缘势垒和隧穿系数 | 第39-41页 |
| 第四章 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-46页 |
| 致谢 | 第46页 |