凝胶流延成型制备铅系热释电厚膜的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·热释电红外探测器的工作原理及其对材料性能的要求 | 第10-13页 |
| ·热释电材料的选择 | 第13-18页 |
| ·富锆PZT 陶瓷 | 第18-22页 |
| ·本文主要研究内容 | 第22-24页 |
| 2 厚膜制备工艺及性能表征 | 第24-32页 |
| ·陶瓷厚膜制备工艺 | 第24-28页 |
| ·性能表征 | 第28-32页 |
| 3 凝胶流延成型制备热释电厚膜 | 第32-43页 |
| ·凝胶流延用粉体的制备 | 第32-33页 |
| ·PZT 热释电厚膜的凝胶流延成型制备工艺 | 第33-38页 |
| ·PZT 热释电厚膜的微观分析 | 第38-39页 |
| ·PZT 热释电厚膜的性能表征 | 第39-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 4 复合PZT 热释电厚膜的热释电性能 | 第43-51页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·不同组分PZT 热释电厚膜的性能比较 | 第43-45页 |
| ·叠层流延不同组分PZT 热释电厚膜 | 第45-48页 |
| ·不同组分PZT 粉体混合后流延厚膜 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 5 热释电厚膜集成制备工艺的初步探讨 | 第51-60页 |
| ·凝胶流延法在Si 基片上制备厚膜 | 第51-56页 |
| ·Sol-Gel 法在硅片上制备热释电厚膜 | 第56-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 6 全文总结 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·建议 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
