| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·晶体及其熔体生长法 | 第7-10页 |
| ·晶体研究的意义 | 第7-8页 |
| ·单晶体的熔体生长法 | 第8-10页 |
| ·带有掺杂的单晶体生长 | 第10-16页 |
| ·本文的目的 | 第16-17页 |
| 第二章 生长设备和表征分析手段 | 第17-21页 |
| ·单晶炉的设计特点 | 第17-19页 |
| ·主要组件的设备性能简介 | 第17-18页 |
| ·单晶炉的设计特点 | 第18-19页 |
| ·结构分析仪器 | 第19-21页 |
| ·X-ray 衍射仪 | 第19页 |
| ·Raman 光谱仪 | 第19-20页 |
| ·X-ray 光电子能谱(XPS) | 第20-21页 |
| 第三章 Fe 掺杂TiO_2晶体生长研究 | 第21-41页 |
| ·引言 | 第21-25页 |
| ·金红石（TiO_2）单晶的研究意义 | 第21-22页 |
| ·稀磁半导体（DMS） | 第22-24页 |
| ·金红石（TiO_2）单晶的制备过程 | 第24-25页 |
| ·TiO_2 基材料熔体恒温区尺寸、熔点功率研究 | 第25-28页 |
| ·Fe 含量对熔区尺寸及熔融状态的影响 | 第28-33页 |
| ·纯TiO_2 熔区状态 | 第28-29页 |
| ·Fe 掺杂TiO_2（Ti : Fe = 1 : 0.005）的熔区状态 | 第29-30页 |
| ·Fe 掺杂TiO_2（Ti : Fe = 1 : 0.01）的熔区状态 | 第30-31页 |
| ·Fe 掺杂TiO_2（Ti : Fe = 1 : 0.03）的熔区状态 | 第31-32页 |
| ·球磨掺杂TiO_2 样品的熔区状态 | 第32-33页 |
| ·Fe 掺杂TiO_2 生长样品的结构 | 第33-41页 |
| 第四章 光浮区法生长LaCoO_3晶体用的初始粉体制备研究 | 第41-62页 |
| ·LaCoO_3 简介 | 第41-43页 |
| ·La_2O_3 与Co_3O_4 比例－烧结时间对相纯度的影响 | 第43-58页 |
| ·高温电导率测试 | 第58-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-65页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| ·展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 摘要 | 第70-74页 |
| Abstract | 第74-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
