| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| ·电阻应变效应及薄膜压力传感器的研究概况 | 第13-18页 |
| ·纳米Ni-Cr薄膜国内外研究概况 | 第18-24页 |
| ·普通纳米Ni-Cr薄膜 | 第18-23页 |
| ·改进型纳米Ni-Cr薄膜 | 第23页 |
| ·含N纳米Ni-Cr薄膜 | 第23-24页 |
| ·Ni-Cr多层薄膜 | 第24页 |
| ·纳米Ni-Cr薄膜的电导研究现状 | 第24-27页 |
| ·本课题的研究意义及主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 纳米Ni-Cr薄膜的制备及研究方法 | 第29-53页 |
| ·TXZ550-Ⅰ型磁控溅射镀膜设备结构及性能 | 第29-31页 |
| ·LD-2B型双离子束溅射镀膜设备结构及性能 | 第31-33页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第33-43页 |
| ·薄膜制备工艺流程 | 第33-34页 |
| ·磁控溅射纳米Ni-Cr薄膜的制备 | 第34-38页 |
| ·离子束溅射纳米Ni-Cr薄膜的制备 | 第38-42页 |
| ·纳米Ni-Cr薄膜的热退火处理 | 第42-43页 |
| ·本文涉及的几种表征及测量方法简介 | 第43-53页 |
| ·薄膜成分的表征及均匀性的检测 | 第43-44页 |
| ·薄膜表面形貌的表征 | 第44-45页 |
| ·薄膜显微结构的表征 | 第45页 |
| ·薄膜物相、相结构、晶粒尺寸及内应力的XRD表征 | 第45-47页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第47-48页 |
| ·薄膜方块电阻和电阻率测定 | 第48-50页 |
| ·薄膜电阻温度系数的测量 | 第50-52页 |
| ·薄膜电阻应变因子的测试 | 第52-53页 |
| 第三章 纳米Ni-Cr薄膜的磁控溅射行为及其热退火规律 | 第53-73页 |
| ·溅射条件对Ni-Cr薄膜成分、结构及性能的影响 | 第53-61页 |
| ·溅射气压对阴极起辉电压的影响 | 第54-56页 |
| ·溅射功率对薄膜成分的影响 | 第56-59页 |
| ·溅射功率对沉积速率的影响 | 第59页 |
| ·溅射功率对薄膜电阻率的影响 | 第59-61页 |
| ·Ni-Cr薄膜制备工艺的正交实验结果分析 | 第61-63页 |
| ·Ni-Cr薄膜的热退火 | 第63-71页 |
| ·薄膜成分、厚度及电阻率 | 第63页 |
| ·热退火时Ni-Cr薄膜的表面氧化及表面氧化的模型 | 第63-66页 |
| ·退火对Ni-Cr薄膜晶体结构的影响 | 第66-68页 |
| ·热退火时方块电阻与电阻率的变化 | 第68-70页 |
| ·热退火对薄膜TCR的影响 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第四章 Ni-Cr薄膜中元素的扩散行为 | 第73-84页 |
| ·试样的制备与研究手段 | 第73页 |
| ·Ni-Cr薄膜的成分 | 第73-74页 |
| ·Ni-Cr薄膜截面显微形貌及元素含量 | 第74-77页 |
| ·Ni、Cr元素扩散距离的计算 | 第77-83页 |
| ·扩散模型的建立 | 第77-79页 |
| ·扩散系数的计算 | 第79-82页 |
| ·对Daken公式的修正 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 纳米Ni-Cr薄膜成分及性能的优化设计 | 第84-104页 |
| ·纳米Ni-Cr薄膜成分的优化设计 | 第84-95页 |
| ·薄膜的成分、厚度及电阻率 | 第84-86页 |
| ·Ni-Cr薄膜的厚度、成分均匀性及氧化性 | 第86-88页 |
| ·Ni-Cr薄膜的XRD实验 | 第88-89页 |
| ·Ni-Cr薄膜显微结构的TEM观察 | 第89-90页 |
| ·成分与电阻应变因子 | 第90-91页 |
| ·成分与电阻温度系数(TCR) | 第91-93页 |
| ·成分对应变因子的影响机理 | 第93页 |
| ·成分对薄膜TCR的影响机理 | 第93-95页 |
| ·纳米Ni-Cr薄膜厚度的优化设计 | 第95-102页 |
| ·不同厚度薄膜的形貌、成分、厚度及方块电阻 | 第95-96页 |
| ·不同厚度薄膜的应变因子 | 第96-97页 |
| ·薄膜的表面形貌和表面粗糙度 | 第97-99页 |
| ·薄膜的成分均匀性及氧化性 | 第99-100页 |
| ·薄膜电阻温度系数及其稳定性 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-104页 |
| 第六章 离子束溅射纳米Ni-Cr合金薄膜 | 第104-129页 |
| ·Ni-Cr薄膜的沉积过程及沉积速率 | 第104-105页 |
| ·Ni-Cr薄膜的溅射特性 | 第105-111页 |
| ·溅射沉积Ni-Cr薄膜时的成分变化 | 第105-106页 |
| ·Ni-Cr薄膜生长过程成分变化的解析模型 | 第106-108页 |
| ·Ni-Cr薄膜成分的选择性溅射现象及分析 | 第108-111页 |
| ·纳米Ni-Cr薄膜的结构、表面形貌及生长过程 | 第111-120页 |
| ·纳米Ni-Cr薄膜的表面形貌及晶体结构 | 第111-117页 |
| ·纳米Ni-Cr薄膜的生长模型 | 第117-120页 |
| ·纳米Ni-Cr薄膜的的内应力 | 第120-123页 |
| ·纳米Ni-Cr-N薄膜的沉积速率及表面形貌 | 第123-127页 |
| ·本章小结 | 第127-129页 |
| 第七章 纳米Ni-Cr薄膜的电导特性及应变敏感性 | 第129-166页 |
| ·纳米Ni-Cr薄膜的结构及其导电性 | 第129-151页 |
| ·沉积厚度及薄膜结构对纳米Ni-Cr薄膜导电性的影响 | 第129-131页 |
| ·非连续纳米Ni-Cr薄膜的电导机理 | 第131-133页 |
| ·连续Ni-Cr薄膜的电导机理 | 第133-150页 |
| ·溅射离子束能量对连续Ni-Cr薄膜的电导机理影响 | 第150-151页 |
| ·温度对Ni-Cr薄膜的电阻及电阻温度系数的影响 | 第151-157页 |
| ·溅射态纳米Ni-Cr薄膜的电阻及TCR | 第151-153页 |
| ·经过低温空气气氛下热退火后的电阻及TCR | 第153-154页 |
| ·经过复合热退火后的电阻及TCR | 第154-155页 |
| ·温度对电阻及TCR的影响机理讨论 | 第155-157页 |
| ·电阻稳定化实验 | 第157-159页 |
| ·含氮改性纳米Ni-Cr-N薄膜的电阻及TCR | 第159-161页 |
| ·Ni-Cr薄膜的电阻应变系数 | 第161-164页 |
| ·不同厚度纳米Ni-Cr薄膜电阻应变系数 | 第161-162页 |
| ·连续薄膜的电阻应变系数影响因素讨论 | 第162-164页 |
| ·本章小结 | 第164-166页 |
| 第八章 结论 | 第166-169页 |
| ·结论 | 第166-168页 |
| ·展望 | 第168-169页 |
| 参考文献 | 第169-181页 |
| 致谢 | 第181-182页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果目录 | 第182-183页 |
