| 第一章 引言 | 第1-23页 |
| ·课题研究背景 | 第8-10页 |
| ·多晶硅TFT 的应用前景 | 第10-19页 |
| ·有源矩阵液晶显示技术 | 第10-14页 |
| ·二端子元件 | 第12页 |
| ·三端子元件 | 第12-14页 |
| ·有源矩阵有机电致发光显示（OLED） | 第14-19页 |
| ·OLED 无源矩阵(Passive Matrix-PM)驱动方式 | 第16页 |
| ·OLED 有源矩阵(Active Matrix-AM)驱动方式 | 第16-19页 |
| ·课题研究意义及研究目的 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要工作内容及其意义 | 第21-23页 |
| 第二章 TFT 有源层的制备方法 | 第23-29页 |
| ·等离子体增强化学反应气相沉积（PECVD） | 第23-24页 |
| ·低压化学气相沉积（LPCVD） | 第24页 |
| ·固相晶化(SPC) | 第24-25页 |
| ·准分子激光晶化(ELA) | 第25-26页 |
| ·快速热退火（RTA） | 第26-27页 |
| ·金属横向诱导（MILC） | 第27-29页 |
| 第三章 氢化处理对TFT 电学性能改进的分析 | 第29-38页 |
| ·TFT 的工作原理 | 第29-32页 |
| ·TFT 的结构 | 第29页 |
| ·正平面TFT 的制造工序 | 第29-31页 |
| ·TFT 的工作原理 | 第31-32页 |
| ·TFT 有源层的性能要求 | 第32-33页 |
| ·TFT 的氢化处理 | 第33页 |
| ·氢化处理的机理 | 第33-38页 |
| 第四章 TFT 氢化处理的实验方法 | 第38-59页 |
| ·TFT 的制备 | 第38-56页 |
| ·PECVD 设备及其操作 | 第38-40页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第40-41页 |
| ·样品的清洗 | 第41-43页 |
| ·工业标准湿法清洗工艺 | 第41-42页 |
| ·TFT 制程中的清洗工艺 | 第42-43页 |
| ·非晶硅的制备 | 第43-44页 |
| ·有源层沟道的制备 | 第44-48页 |
| ·栅绝缘层的制备 | 第48-50页 |
| ·TFT 中硅的刻蚀工艺 | 第50-51页 |
| ·氮化硅（SINX）的刻蚀 | 第51-52页 |
| ·TFT 金属电极的选择与刻蚀 | 第52-54页 |
| ·光刻的研究以及光刻胶的选择 | 第54-56页 |
| ·TFT 氢化处理的实验方法 | 第56-59页 |
| 第五章 实验结果的分析与讨论 | 第59-65页 |
| ·样品温度对阈值电压和开关比的影响 | 第59-60页 |
| ·射频功率对阈值电压和开关比的影响 | 第60-61页 |
| ·氢气流量对阈值电压和开关比的影响 | 第61-63页 |
| ·氢化时间对阈值电压和开关比的影响 | 第63-65页 |
| 第六章 结束语 | 第65-67页 |
| ·本文主要工作及结论 | 第65页 |
| ·本文工作展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 攻硕期间完成的论文及科研情况 | 第70页 |