| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| ·研究目的及意义 | 第10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·CsMgX_3（X=Cl,Br,I）中V~(2+)离子自旋哈密顿参量的研究 | 第11页 |
| ·MX_2(M=Cd,Pb;X=Br,I)：V~(2+)的g 因子和零场分裂研究 | 第11页 |
| ·KBr 中四角的V~(2+)中心的缺陷结构研究 | 第11-12页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 晶体场和电子顺磁共振的基本理论 | 第13-29页 |
| ·晶体场理论 | 第13-23页 |
| ·基本假设 | 第13-15页 |
| ·晶场耦合图象 | 第15-18页 |
| ·晶场能级分裂 | 第18-19页 |
| ·能量矩阵的建立和晶场矩阵元的计算 | 第19-20页 |
| ·晶场参量的计算 | 第20-22页 |
| ·不可约张量算符方法 | 第22-23页 |
| ·Winger-Eckart 定理 | 第23页 |
| ·电子顺磁共振基本理论 | 第23-28页 |
| ·电子顺磁共振简介 | 第23-24页 |
| ·EPR 基本原理 | 第24-25页 |
| ·线型与线宽 | 第25-26页 |
| ·电子顺磁共振谱的描述：自旋哈密顿参量 | 第26-27页 |
| ·电子顺磁共振的自旋哈密顿理论 | 第27-28页 |
| ·八面体场中3d~3离子自旋哈密顿参量的研究现状和本文的思路 | 第28-29页 |
| 第三章 八面体晶场中3d~3离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第29-48页 |
| ·八面体晶场中3d~3离子的自旋哈密顿参量理论 | 第29-36页 |
| ·Macfarlane 传统公式 | 第30页 |
| ·基于离子簇模型的公式 | 第30-32页 |
| ·考虑配体s 轨道贡献的改进公式 | 第32-36页 |
| ·应用 | 第36-48页 |
| ·立方对称：CsMgX:V~(2+)(X=Cl,Br,I) | 第36-39页 |
| ·MX(M=Cd,Pb;X=Cl,I)中 V~(2+)离子自旋哈密顿参量的研究 | 第39-45页 |
| ·KBr 中四角 V~(2+)中心自旋哈密顿参量的研究 | 第45-48页 |
| 第四章 主要结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 作者攻硕期间取得的成果 | 第57页 |
