| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-6页 |
| 第一章 文献综述 | 第6-14页 |
| ·THz电磁辐射简介 | 第6-7页 |
| ·THz电磁辐射的特点及其应用 | 第7-8页 |
| ·THz研究进展 | 第8-13页 |
| ·小结 | 第13-14页 |
| 第二章 基于共振隧穿结构的THz振荡源和THz开关研究 | 第14-38页 |
| ·半导体量子阱中的电子运动方程 | 第14-15页 |
| ·量子器件模拟方法 | 第15-22页 |
| ·传输矩阵方法 | 第16-19页 |
| ·Wigner函数方法 | 第19-20页 |
| ·Poisson方程 | 第20-22页 |
| ·基于共振隧穿结构的THz振荡源 | 第22-32页 |
| ·Wigner-Poisson耦合模型 | 第22-26页 |
| ·共振隧穿结构的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第26-28页 |
| ·共振隧穿结构的高频电流振荡特性 | 第28-32页 |
| ·THz场作用下快速开关特性 | 第32-36页 |
| ·小结 | 第36-38页 |
| 第三章 超晶格中THz布洛赫振荡研究 | 第38-49页 |
| ·基于超晶格结构的电子布洛赫振荡源 | 第38页 |
| ·超晶格光学布洛赫振荡 | 第38-46页 |
| ·厚度梯变超晶格结构 | 第39-44页 |
| ·大尺寸微腔超晶格结构 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-49页 |
| 第四章 半导体量子阱子带间光吸收研究 | 第49-63页 |
| ·子带间载流子动力学理论 | 第49-54页 |
| ·半导体量子阱导带中电子的Hamilton量 | 第50-52页 |
| ·半导体子带间Bloch方程 | 第52-54页 |
| ·半导体子带间光吸收研究 | 第54-61页 |
| ·库仑效应和非抛物性对光吸收的影响 | 第54-57页 |
| ·晶格温度和电子浓度对光吸收的影响 | 第57-61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| 第五章 THz场调制的半导体子带间非线性光吸收研究 | 第63-73页 |
| ·强THz场和弱探测场作用下三子能级Bloch方程 | 第63-66页 |
| ·THz场对耦合量子阱子带间光吸收的调制 | 第66-72页 |
| ·共振THz场作用下的吸收谱 | 第66-69页 |
| ·非共振THz场作用下的带边吸收 | 第69-71页 |
| ·THz场导致的Anticrosing效应 | 第71-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 第六章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-84页 |
| 研究成果及发表论文 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 作者简历 | 第86-87页 |
| 学位论文独创性声明 | 第87页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第87页 |
