WO3薄膜材料的制备及性能研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·WO_3 薄膜的研究现状 | 第9-15页 |
| ·概述 | 第9-10页 |
| ·WO_3 薄膜材料制备和性能研究现状 | 第10-13页 |
| ·WO_3 薄膜应用研究现状 | 第13-15页 |
| ·课题的提出和主要研究内容 | 第15-17页 |
| ·课题的提出 | 第15-16页 |
| ·主要研究内容和目的 | 第16-17页 |
| 2 WO_3薄膜制备方法原理 | 第17-27页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·溶胶凝胶法制备WO_3 薄膜原理 | 第17-21页 |
| ·溶胶凝胶法概述 | 第17-18页 |
| ·常用溶胶凝胶法原理 | 第18-20页 |
| ·溶胶成膜方法 | 第20-21页 |
| ·反应磁控溅射法制备WO_3 薄膜的机理 | 第21-25页 |
| ·溅射法 | 第21-23页 |
| ·磁控溅射法 | 第23页 |
| ·反应溅射法 | 第23-25页 |
| ·反应磁控溅射法的优势 | 第25页 |
| ·正交试验设计方法 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3 WO_3薄膜制备试验 | 第27-32页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·反应磁控溅射法制备三氧化钨薄膜 | 第27-29页 |
| ·主要试验试剂 | 第27页 |
| ·主要试验仪器 | 第27页 |
| ·试验前的准备 | 第27-28页 |
| ·反应磁控溅射法实验步骤 | 第28页 |
| ·反应磁控溅射法实验流程图 | 第28-29页 |
| ·钨粉过氧化聚钨酸法制备三氧化钨薄膜 | 第29-30页 |
| ·主要试验试剂 | 第29页 |
| ·主要试验仪器 | 第29页 |
| ·试验前的准备 | 第29页 |
| ·钨粉过氧化聚钨酸法试验步骤 | 第29-30页 |
| ·钨粉过氧化聚钨酸法制备三氧化钨薄膜试验流程图 | 第30页 |
| ·正交试验设计 | 第30-31页 |
| ·用正交表设计试验方案过程 | 第30页 |
| ·关于制备三氧化钨薄膜的正交试验设计 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 4 样品测试与分析 | 第32-42页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·WO_3薄膜表征 | 第32-41页 |
| ·原子力显微镜 | 第32-34页 |
| ·双束紫外可见分光光度计 | 第34-37页 |
| ·X-衍射 | 第37-40页 |
| ·气敏性测试 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 5 制备条件对薄膜性能的影响 | 第42-55页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·溶胶凝胶法制备条件对薄膜性能的影响 | 第42-44页 |
| ·钨粉和双氧水配比的影响 | 第42页 |
| ·乙醇含量的影响 | 第42页 |
| ·成膜条件的影响 | 第42-44页 |
| ·磁控溅射法制备条件的影响 | 第44-45页 |
| ·退火温度的影响 | 第45-53页 |
| ·正交试验结果 | 第53页 |
| ·掺杂试验 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 6 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附:1.作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第61-62页 |
| 独创性声明 | 第62页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第62页 |
