与CMOS兼容的传感器技术
| 第一章 绪论 | 第1-14页 |
| 1．1 论文背景和意义 | 第9-10页 |
| 1．2 传感器的研究与发展 | 第10-12页 |
| 1．3 论文的主要工作及结构 | 第12-14页 |
| 第二章 压力传感器的基本原理 | 第14-23页 |
| 2．1 半导体的压阻效应 | 第14-18页 |
| 2．1．1 n型硅中的压阻效应 | 第15-17页 |
| 2．1．2 p型硅中的压阻效应 | 第17-18页 |
| 2．2 任意晶向的压阻系数 | 第18-20页 |
| 2．3 平面应力场中电阻器的压阻效应 | 第20-22页 |
| 2．3．1 平面应力场中电阻器的压阻效应 | 第20-21页 |
| 2．3．1 扩散硅的压阻效应 | 第21-22页 |
| 2．4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 压力传感器的芯片设计 | 第23-42页 |
| 3．1 压阻全桥原理及压敏电阻的设计 | 第23-26页 |
| 3．1．1 压阻全桥原理 | 第23-25页 |
| 3．1．2 压敏电阻的设计 | 第25-26页 |
| 3．2 应力的分析与数学计算 | 第26-27页 |
| 3．3 硅膜片上的压阻全桥设计 | 第27-34页 |
| 3．3．1 圆形膜片 | 第28-31页 |
| 3．3．2 方形膜片 | 第31-32页 |
| 3．3．3 矩形膜片 | 第32-34页 |
| 3．4 传感器加工工艺 | 第34-40页 |
| 3．4．1 薄膜技术 | 第34-37页 |
| 3．4．2 腐蚀技术 | 第37-38页 |
| 3．4．3 键合技术 | 第38-40页 |
| 3．5 工艺兼容性研究 | 第40-41页 |
| 3．5．1 腐蚀与刻蚀过程的兼容性 | 第40页 |
| 3．5．2 高温过程的兼容性 | 第40-41页 |
| 3．6 本章小节 | 第41-42页 |
| 第四章 灵敏度特性分析 | 第42-53页 |
| 4．1 原理分析 | 第42-44页 |
| 4．1．1 应力到输出 | 第42-43页 |
| 4．1．2 压力到应力 | 第43-44页 |
| 4．2 应力分析以及灵敏度计算 | 第44-49页 |
| 4．2．1 ANSYS简介 | 第44页 |
| 4．3．2 模型建立 | 第44-45页 |
| 4．3．3 材料类型 | 第45-46页 |
| 4．3．4 网格划分 | 第46页 |
| 4．3．5 边界条件 | 第46-47页 |
| 4．3．6 负载定义 | 第47页 |
| 4．3．7 后处理 | 第47-48页 |
| 4．3．8 电阻率和灵敏度计算 | 第48-49页 |
| 4．3 结果分析 | 第49-52页 |
| 4．4 本章小节 | 第52-53页 |
| 第五章 全文总结 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 科研成果 | 第59页 |
