| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| ·概述 | 第12-13页 |
| ·BST系固溶铁电薄膜的特点 | 第13-14页 |
| ·微波调谐器件的发展 | 第14-18页 |
| ·微波调谐器件用材料和电路的研究现状 | 第14-16页 |
| ·BST薄膜介质微波器件的实例 | 第16-18页 |
| ·微波调谐器件应用的BST铁电薄膜进展 | 第18-22页 |
| ·BST铁电薄膜的性能要求 | 第22-24页 |
| ·本文研究目标 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 BST薄膜制备工艺 | 第31-44页 |
| ·BST铁电薄膜的制备方法 | 第31-32页 |
| ·溶胶—凝胶法工艺 | 第32-35页 |
| ·溶胶—凝胶法的工艺流程 | 第32-33页 |
| ·薄膜结构和性能表征 | 第33-34页 |
| ·热处理工艺的选择 | 第34-35页 |
| ·退火温度对BST薄膜的影响 | 第35-41页 |
| ·BST薄膜的微结构 | 第35-39页 |
| ·热退火温度对薄膜介电性能的影响 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 组分不同的BST薄膜结构和介电性能 | 第44-57页 |
| ·不同Ba／Sr的BST薄膜 | 第44-49页 |
| ·不同Ba／Sr比BST薄膜的微观结构 | 第44-45页 |
| ·不同Ba／Sr比BST薄膜的介电性能 | 第45-49页 |
| ·Ti含量对薄膜介电性能的影响 | 第49-54页 |
| ·Ba_(0.6)Sr_(0.4)Ti_(1+y)O_3薄膜结构和形貌分析 | 第49-51页 |
| ·Ba_(0.6)Sr_(0.4)Ti_(1+y)O_3薄膜介电调谐特性 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 BST薄膜的界面效应 | 第57-69页 |
| ·镍酸镧电极材料对BST薄膜介电性能的影响 | 第57-62页 |
| ·LNO电极的制备 | 第58-59页 |
| ·BST／LNO薄膜的微结构 | 第59-61页 |
| ·BST／LNO薄膜和BST／Pt薄膜的介电性能 | 第61-62页 |
| ·多层结构BST薄膜 | 第62-66页 |
| ·多层结构BST薄膜的结构 | 第62-64页 |
| ·多层结构BST薄膜的介电性能 | 第64-65页 |
| ·不同组分的多层结构BST薄膜的介电性能 | 第65-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第五章 基底及缓冲层对BST薄膜介电性能的影响 | 第69-92页 |
| ·基底与薄膜失配效应 | 第69-73页 |
| ·缓冲层效应 | 第73-80页 |
| ·缓冲层组分对薄膜微结构的影响 | 第73-75页 |
| ·缓冲层组分对薄膜介电调谐性能的影响 | 第75-79页 |
| ·缓冲层厚度对薄膜介电特性的影响 | 第79-80页 |
| ·薄膜应力状态及其对介电常数的模拟 | 第80-83页 |
| ·薄膜应力的Raman光谱分析 | 第83-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-92页 |
| 第六章 (Ba,Sr,Ca)TiO_3和(Pb,Sr)Ti_3O_3微波调谐薄膜 | 第92-106页 |
| ·BSCT薄膜 | 第92-98页 |
| ·BSCT薄膜组分的选取 | 第93-94页 |
| ·BSCT薄膜的微结构 | 第94-95页 |
| ·BSCT薄膜的介电调谐性能 | 第95-98页 |
| ·PST薄膜 | 第98-103页 |
| ·Pb_xSr_(1-x)TiO_3系列薄膜的相结构 | 第99-100页 |
| ·PST薄膜的微观形貌 | 第100-101页 |
| ·介电调谐性能与组分的关系 | 第101-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
| 第七章 总结 | 第106-108页 |
| 作者在攻读博士学位期间发表学术论文 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
