FRAM铁电材料的微结构与电性能研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·铁电材料概述 | 第13-14页 |
| ·铁电存储器的特点 | 第14-15页 |
| ·铁电薄膜研究现状 | 第15-22页 |
| ·本论文研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 掺杂SBT陶瓷的晶格结构与电性能 | 第24-36页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·La~(3+)掺杂的SBT陶瓷 | 第25-30页 |
| ·W~(3+)掺杂的SBT陶瓷 | 第30-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 SBT、PZT铁电薄膜的生长与性能 | 第36-60页 |
| ·引言 | 第36-38页 |
| ·脉冲激光沉积法生长SBT薄膜的织构 | 第38-43页 |
| ·化学液相法交替沉积PZT、SBT薄膜 | 第43-54页 |
| ·退火工艺对PZT薄膜生长的影响 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 铁电薄膜的电性能随尺度变化的规律 | 第60-69页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·实验过程及结果 | 第61-63页 |
| ·理论分析及模型 | 第63-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 铁电薄膜的电畴与疲劳机理 | 第69-89页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·实验过程 | 第70-71页 |
| ·SBLT薄膜的电畴结构及疲劳特性 | 第71-76页 |
| ·PZT、SBT薄膜的电畴在疲劳过程中的演变 | 第76-83页 |
| ·SBLT薄膜的90°极化反转及疲劳机理 | 第83-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 FRAM器件的制作与测试 | 第89-95页 |
| ·FRAM器件的制作 | 第89-91页 |
| ·原型器件的测试 | 第91-95页 |
| 第七章 结论与展望 | 第95-99页 |
| ·全文工作总结 | 第95-97页 |
| ·本论文的主要创新点 | 第97-98页 |
| ·展望 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 读博期间的研究成果 | 第114-115页 |
