采用硅基双极工艺研制单片微波放大器
| 1 引言 | 第1-9页 |
| 2 微波放大器的基本原理 | 第9-14页 |
| 2．1 微波放大器的基本概念及现状 | 第9-10页 |
| 2．2 二端口网络 | 第10页 |
| 2．3 微波放大器的设计 | 第10-14页 |
| 2．3．1 最大增益设计 | 第11页 |
| 2．3．2 低噪声设计 | 第11-12页 |
| 2．3．3 高功率设计 | 第12页 |
| 2．3．4 微波放大器的宽带设计 | 第12-14页 |
| 3 微波放大器的设计 | 第14-35页 |
| 3．1 单级微波放大器 | 第14-26页 |
| 3．1．1 微波晶体管 | 第15-17页 |
| 3．1．2 微波放大器的偏置 | 第17-18页 |
| 3．1．3 宽带放大器的设计 | 第18-19页 |
| 3．1．4 负反馈放大器 | 第19-23页 |
| 3．1．5 带宽和增益 | 第23-26页 |
| 3．2 多级微波放大器 | 第26-28页 |
| 3．2．1 级间祸合 | 第26-27页 |
| 3．2．2 多级放大器的高频响应 | 第27-28页 |
| 3．3 噪声 | 第28-35页 |
| 3．3．1 热噪声 | 第28页 |
| 3．3．2 散粒噪声 | 第28-29页 |
| 3．3．3 闪烁噪声 | 第29页 |
| 3．3．4 碎发噪声 | 第29页 |
| 3．3．5 电阻的噪声 | 第29-30页 |
| 3．3．6 硅双极晶体管的噪声 | 第30-34页 |
| 3．3．7 级联电路的噪声 | 第34-35页 |
| 4 特定工艺下的器件整体设计 | 第35-45页 |
| 4．1 设计指标的要求 | 第35页 |
| 4．2 电路结构 | 第35-37页 |
| 4．3 对所采用的工艺线的简介 | 第37-39页 |
| 4．4 与工艺有关的的设计考虑 | 第39-42页 |
| 4．5 封装寄生参数对电路影响的讨论 | 第42-45页 |
| 5 仿真及测试结果 | 第45-52页 |
| 5．1 仿真结果及分析 | 第45-47页 |
| 5．2 测试结果 | 第47-49页 |
| 5．3 仿真与测试结果的对比分析 | 第49-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 声明 | 第55-56页 |
| 附录 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
