首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

半导体材料科学中的漂移扩散模型和流体动力学模型分析

Abstract (Chinese)第1-4页
Abstract(English)第4-7页
1 Introduction第7-13页
2 Quasineutral Limit of the Standard Drift-Diffusion Model for p-n Junction Semiconductors第13-22页
   ·Main Results第13-16页
   ·TheProof of the Main Results第16-22页
3 The Asymptotic Behavior of Global Smooth Solutions to the Multidimensional Hydrodynamic Model for Semiconductor in the Exterior Domain第22-37页
   ·Stationary Solution第22-26页
   ·Hydrodynamic Model第26-37页
References第37-40页
Acknowledgement(Chinese)第40页

论文共40页,点击 下载论文
上一篇:椎弓根螺钉-棒系统矫治麻痹性脊柱侧凸的临床研究
下一篇:Survivin 在结直肠腺瘤癌变过程中的表达及其与p53、Ki-67表达的关系