| 第一章 序言 | 第1-12页 |
| 第二章 理论方法 | 第12-24页 |
| ·第一性原理方法 | 第12-14页 |
| ·赝势方法 | 第14-17页 |
| ·经验紧束缚近似方法 | 第17-20页 |
| ·能量最小化 | 第20-21页 |
| ·Redhead公式 | 第21-22页 |
| ·计算细节 | 第22-24页 |
| 第三章 清洁硅(100)表面上附加硅原子的沉积扩散 | 第24-27页 |
| ·清洁的硅(100)表面 | 第24-25页 |
| ·附加硅原子在表面的沉积扩散 | 第25-27页 |
| 第四章 硅(100)表面缺陷微结构附近附加硅原子的沉积扩散 | 第27-40页 |
| ·有单个双聚体空位的表面 | 第27-29页 |
| ·有两个双聚体空位缺陷的表面 | 第29-32页 |
| ·表面有单层台阶及纽结微结构 | 第32-40页 |
| 第五章 附加硅双聚体在硅(100)表面的沉积扩散 | 第40-47页 |
| 第六章 结论 | 第47-48页 |
| 图表目录 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |