| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-31页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·化合物半导体Cd_(1-x)Zn_xTe的应用背景 | 第9-15页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体用作衬底材料 | 第10-11页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体用作核探测器材料 | 第11-15页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的结构和物理性能 | 第15-19页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe的晶体结构 | 第15-17页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的物性参数 | 第17页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的能带结构 | 第17-19页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的电学性能 | 第19页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长的特点 | 第19-26页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe相图分析 | 第19-21页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长中的困难 | 第21页 |
| ·晶体生长过程中若干影响因素的分析 | 第21-23页 |
| ·晶体生长方法简介 | 第23-26页 |
| ·CdTe／Cd_(1-x)Zn_xTe晶体中的Te沉淀及Te夹杂 | 第26-28页 |
| ·Te沉淀相 | 第26页 |
| ·Te夹杂 | 第26-27页 |
| ·Te沉淀和Te夹杂对晶体性能的影响 | 第27-28页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体中的掺杂 | 第28-30页 |
| ·存在的问题及我们的研究思路 | 第30-31页 |
| 第2章 石英坩埚内壁镀膜的工艺研究 | 第31-43页 |
| ·坩埚的制备 | 第31-32页 |
| ·坩埚内壁镀膜系统设计 | 第32-36页 |
| ·镀膜方案的选择 | 第33-34页 |
| ·实验设备及镀膜的基本工艺 | 第34-36页 |
| ·膜层厚度的测量 | 第36-37页 |
| ·不同工艺条件下所镀膜层的质量对比 | 第37-42页 |
| ·不同工艺条件下膜厚的比较 | 第37-38页 |
| ·不同工艺条件下的膜层质量及其与膜厚间的关系 | 第38-40页 |
| ·退火与膜层质量间的关系 | 第40-41页 |
| ·对镀膜工艺的改进 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 晶体生长 | 第43-54页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe多晶材料的准备及合成 | 第43-45页 |
| ·晶体生长的实验设备 | 第45-47页 |
| ·晶体生长过程控制 | 第47-50页 |
| ·晶体生长温度场的选择 | 第47页 |
| ·晶体控温参数的选择 | 第47-50页 |
| ·晶体生长结果 | 第50页 |
| ·晶锭的后续处理 | 第50-52页 |
| ·切片 | 第50-51页 |
| ·磨抛 | 第51-52页 |
| ·本征晶体和掺杂晶体的性能比较 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 Cd_(1-x)Zn_xTe掺In退火的实验研究 | 第54-61页 |
| ·退火过程中各组元分压的控制及退火源的选择 | 第55-60页 |
| ·控制原理 | 第55-56页 |
| ·退火源中基本成分及退火温度的确定 | 第56-58页 |
| ·降温过程中的相变与冷却方式的选择 | 第58-59页 |
| ·退火时间的确定 | 第59-60页 |
| ·晶片退火的实验设备 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 掺In退火前后晶体性能的比较 | 第61-73页 |
| ·退火对晶片成分分布的影响 | 第61-63页 |
| ·退火对晶片主成分分布的影响 | 第61-63页 |
| ·退火前后晶片中In含量的变化 | 第63页 |
| ·掺In退火对晶片红外透过率的影响 | 第63-68页 |
| ·掺杂退火前后晶片的红外透射率 | 第63-66页 |
| ·掺杂退火对晶片红外透过率的影响 | 第66-68页 |
| ·掺In退火对晶片体电阻率的影响 | 第68-72页 |
| ·电极的制备 | 第68-72页 |
| ·掺杂退火前后晶片电阻率的对比 | 第72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 主要结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
