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4H碳化硅射频功率金属半导体场效应晶体管的模型及工艺研究

1 绪论第1-23页
 1.1 微波功率器件的进展第13-15页
 1.2 SiC射频、微波功率MESFET的发展现状和应用潜力第15-20页
  1.2.1 新一代机载相控阵雷达的发展第15-16页
  1.2.2 MESFET结构的SiC器件第16-17页
  1.2.3 SiC材料及器件在高频大功率领域的应用现状第17-19页
  1.3.4 H-SiC射频功率MESFET研究中需解决的问题第19-20页
 1.4 本文开展的工作及意义第20-23页
2 4 H-SiC射频功率MESFET小信号分析第23-39页
 2.1 4 H-SiCMESFET小信号模型第23-24页
 2.2 4 H-SiCMESFET小信号等效电路分析第24-34页
  2.2.1 非本征电阻值的确定1第25-27页
  2.2.2 寄生电感和寄生电容值的确定15第27页
  2.2.3 本征元件的确定第27-34页
 2.3 MESFET小信号微波特性分析第34-35页
 2.4 MESFET小信号模型在功率放大器设计中的应用第35-38页
 2.5 本章小结第38-39页
3 4 H-SiC射频功率MESFET大信号分析模型第39-58页
 3.1 4H-SiC射频功率MESFET的模型分析第40-41页
 3.2 4H-SiC射频功率MESFET的直流I-V特性模型分析第41-48页
  3.2.1 4H-SiCMESFET直流I-V特性模型的建立第43-47页
  3.2.2 4H-SiCMESFET直流I-V特性的MEDICI模拟35第47-48页
  3.2.3 结论第48页
 3.3 4H-SiC射频功率MESFET的电容特性模型分析第48-57页
  3.3.1 SiCMESFET大信号电容解析模型的建立第49-54页
  3.3.2 基于实验数据的MESFET大信号精确电容模型第54-56页
  3.3.3 结论第56-57页
 3.4 本章小结第57-58页
4 器件结构对4H-SiCMESFET特性的影响第58-82页
 4.1 4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析第58-65页
  4.1.1 4H-SiCMESFET直流I-V特性变温模型及“自热效应”分析第59-63页
  4.1.2 模拟结果分析第63-65页
  4.1.3 结论第65页
 4.2 p-buffer层结构对4H-SiCMESFET的影响第65-72页
  4.2.1 基于p-buffer层结构的等效参数描述第66-69页
  4.2.2 考虑了p-buffer层影响因素的模拟结果分析第69-71页
  4.2.3 结论第71-72页
 4.3 4H-SiC射频功率MESFET的表面态分析第72-80页
  4.3.1 表面态的形成及理论描述第73-77页
  4.3.2 考虑表面态的稳态响应模拟结果第77-78页
  4.3.3 表面态造成的低频偏移瞬态响应模拟分析第78-80页
  4.3.4 结论第80页
 4.4 本章小结第80-82页
5 4 H-SiC射频功率MESFET工艺研究第82-112页
 5.1 4H-SiC射频功率MESFET的工艺版图设计第82-92页
  5.1.1 MESFET栅长、总栅宽和有源区台面尺寸设计第82-86页
  5.1.2 4 H-SiCMESFET版图设计第86-92页
 5.2 4 H-SiC射频功率MESFET的关键工艺研究第92-101页
  5.2.1 离子注入和高温退火工艺第92-94页
  5.2.2 刻蚀工艺研究第94-100页
  5.2.3 欧姆接触合金工艺第100-101页
 5.3 4 H-SiC射频功率MESFET的工艺流程第101-103页
 5.4 4 H-SiCMESFET管芯初步分析第103-111页
  5.4.1 欧姆接触测试分析第103-105页
  5.4.2 单栅结构4H-SiCMESFET的I-V特性测试分析第105-110页
  5.4.3 工艺改进设计方案第110-111页
 5.5 本章小结第111-112页
6 总结第112-114页
致谢第114-115页
参考文献第115-123页
攻读博士学位期间参加的科研项目、完成的学术论文及获奖第123-124页

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