1 绪论 | 第1-23页 |
1.1 微波功率器件的进展 | 第13-15页 |
1.2 SiC射频、微波功率MESFET的发展现状和应用潜力 | 第15-20页 |
1.2.1 新一代机载相控阵雷达的发展 | 第15-16页 |
1.2.2 MESFET结构的SiC器件 | 第16-17页 |
1.2.3 SiC材料及器件在高频大功率领域的应用现状 | 第17-19页 |
1.3.4 H-SiC射频功率MESFET研究中需解决的问题 | 第19-20页 |
1.4 本文开展的工作及意义 | 第20-23页 |
2 4 H-SiC射频功率MESFET小信号分析 | 第23-39页 |
2.1 4 H-SiCMESFET小信号模型 | 第23-24页 |
2.2 4 H-SiCMESFET小信号等效电路分析 | 第24-34页 |
2.2.1 非本征电阻值的确定1 | 第25-27页 |
2.2.2 寄生电感和寄生电容值的确定15 | 第27页 |
2.2.3 本征元件的确定 | 第27-34页 |
2.3 MESFET小信号微波特性分析 | 第34-35页 |
2.4 MESFET小信号模型在功率放大器设计中的应用 | 第35-38页 |
2.5 本章小结 | 第38-39页 |
3 4 H-SiC射频功率MESFET大信号分析模型 | 第39-58页 |
3.1 4H-SiC射频功率MESFET的模型分析 | 第40-41页 |
3.2 4H-SiC射频功率MESFET的直流I-V特性模型分析 | 第41-48页 |
3.2.1 4H-SiCMESFET直流I-V特性模型的建立 | 第43-47页 |
3.2.2 4H-SiCMESFET直流I-V特性的MEDICI模拟35 | 第47-48页 |
3.2.3 结论 | 第48页 |
3.3 4H-SiC射频功率MESFET的电容特性模型分析 | 第48-57页 |
3.3.1 SiCMESFET大信号电容解析模型的建立 | 第49-54页 |
3.3.2 基于实验数据的MESFET大信号精确电容模型 | 第54-56页 |
3.3.3 结论 | 第56-57页 |
3.4 本章小结 | 第57-58页 |
4 器件结构对4H-SiCMESFET特性的影响 | 第58-82页 |
4.1 4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析 | 第58-65页 |
4.1.1 4H-SiCMESFET直流I-V特性变温模型及“自热效应”分析 | 第59-63页 |
4.1.2 模拟结果分析 | 第63-65页 |
4.1.3 结论 | 第65页 |
4.2 p-buffer层结构对4H-SiCMESFET的影响 | 第65-72页 |
4.2.1 基于p-buffer层结构的等效参数描述 | 第66-69页 |
4.2.2 考虑了p-buffer层影响因素的模拟结果分析 | 第69-71页 |
4.2.3 结论 | 第71-72页 |
4.3 4H-SiC射频功率MESFET的表面态分析 | 第72-80页 |
4.3.1 表面态的形成及理论描述 | 第73-77页 |
4.3.2 考虑表面态的稳态响应模拟结果 | 第77-78页 |
4.3.3 表面态造成的低频偏移瞬态响应模拟分析 | 第78-80页 |
4.3.4 结论 | 第80页 |
4.4 本章小结 | 第80-82页 |
5 4 H-SiC射频功率MESFET工艺研究 | 第82-112页 |
5.1 4H-SiC射频功率MESFET的工艺版图设计 | 第82-92页 |
5.1.1 MESFET栅长、总栅宽和有源区台面尺寸设计 | 第82-86页 |
5.1.2 4 H-SiCMESFET版图设计 | 第86-92页 |
5.2 4 H-SiC射频功率MESFET的关键工艺研究 | 第92-101页 |
5.2.1 离子注入和高温退火工艺 | 第92-94页 |
5.2.2 刻蚀工艺研究 | 第94-100页 |
5.2.3 欧姆接触合金工艺 | 第100-101页 |
5.3 4 H-SiC射频功率MESFET的工艺流程 | 第101-103页 |
5.4 4 H-SiCMESFET管芯初步分析 | 第103-111页 |
5.4.1 欧姆接触测试分析 | 第103-105页 |
5.4.2 单栅结构4H-SiCMESFET的I-V特性测试分析 | 第105-110页 |
5.4.3 工艺改进设计方案 | 第110-111页 |
5.5 本章小结 | 第111-112页 |
6 总结 | 第112-114页 |
致谢 | 第114-115页 |
参考文献 | 第115-123页 |
攻读博士学位期间参加的科研项目、完成的学术论文及获奖 | 第123-124页 |