| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1. 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·GaAs光导开关的发展历史 | 第8页 |
| ·理论研究现状 | 第8-9页 |
| ·实用现状研究 | 第9页 |
| ·PCSS的基本工作原理 | 第9-10页 |
| ·PCSS的两种工作模式 | 第10-12页 |
| ·光导开关的线性工作模式及其特性 | 第10-11页 |
| ·光导开关的非线性工作模式及其特性 | 第11-12页 |
| ·研究意义 | 第12页 |
| ·本论文所做的工作 | 第12页 |
| ·本章小结 | 第12-14页 |
| 2. 半绝缘GaAs开关线性条件下的畴理论分析 | 第14-26页 |
| ·微波半导体器件 | 第14-15页 |
| ·能带结构 | 第15-17页 |
| ·转移电子效应 | 第17-19页 |
| ·畴的一般理论和光导开关中光激发电荷畴的器件方程 | 第19-21页 |
| ·光导开关中畴的形成过程以及电流曲线分析 | 第21-25页 |
| ·光激发电荷畴的形成 | 第22-23页 |
| ·电流曲线的分析 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3. 半绝缘GaAs中非线性”Lock-on”现象的实验和理论分析 | 第26-39页 |
| ·实验现象研究 | 第26-27页 |
| ·理论分析 | 第27-37页 |
| ·结论 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4. 在脉冲电压作用下提高光导开关THz辐射功率和信噪比方法及其蒙特卡罗模拟 | 第39-50页 |
| ·各种产生THz的方法以及它们的优缺点 | 第39-41页 |
| ·THz产生机理 | 第41-42页 |
| ·载流子速度过冲效应 | 第42-43页 |
| ·半绝缘GaAs产生THz的特性分析 | 第43-45页 |
| ·低温GaAs和半绝缘GaAs产生THz的实验结果比较 | 第43-45页 |
| ·半绝缘GaAs信噪比低的理论分析 | 第45页 |
| ·设计方法 | 第45-47页 |
| ·使用外电路控制方法实现偏置电压随时间变化的THz辐射过程 | 第45-47页 |
| ·速度下冲效应和Rees效应 | 第47页 |
| ·蒙特卡罗模拟结果 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 5. 全文小结 | 第50-52页 |
| ·全文小结 | 第50-51页 |
| ·进一步工作的设想 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 附录 | 第58页 |
