| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-22页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·ZnO薄膜概述 | 第13-15页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO薄膜的缺陷 | 第14-15页 |
| ·ZnO薄膜的特性与应用 | 第15-16页 |
| ·ZnO薄膜的压敏性质 | 第15页 |
| ·ZnO薄膜的光电特性 | 第15页 |
| ·ZnO薄膜的压电性能 | 第15-16页 |
| ·ZnO薄膜的气敏性质 | 第16页 |
| ·ZnO薄膜的紫外受激发射 | 第16页 |
| ·ZnO薄膜的p-n结特性 | 第16页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| ·磁控溅射(MS) | 第17页 |
| ·喷雾热分解技术 | 第17页 |
| ·离子束溅射沉积(IBD) | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积工艺(PLD) | 第18页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第18-19页 |
| ·激光分子束外延(Laser MBE) | 第19页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第19页 |
| ·ZnO薄膜的研究现状及产业化前景 | 第19-20页 |
| ·ZnO薄膜的研究现状 | 第19-20页 |
| ·ZnO薄膜的产业化前景 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-22页 |
| 第二章 磁控溅射的原理及氮掺杂ZnO薄膜的表征 | 第22-36页 |
| ·磁控溅射的发展及原理 | 第22-29页 |
| ·磁控溅射的发展 | 第22页 |
| ·溅射的基本原理 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射镀膜机理 | 第23-25页 |
| ·辉光放电 | 第25-26页 |
| ·溅射率 | 第26-29页 |
| ·薄膜的沉积过程 | 第29-30页 |
| ·衬底的清洗方法 | 第30页 |
| ·薄膜的表征技术 | 第30-35页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第31-32页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第32-33页 |
| ·拉曼光谱技术(RS)和光致发光技术(PL) | 第33页 |
| ·透射电子显微术 | 第33-34页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第34页 |
| ·薄膜电阻的测试 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 未掺杂与氮掺杂ZnO薄膜的制备与性能分析 | 第36-48页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·实验装置简介及ZnO薄膜的制备工艺步骤 | 第36-38页 |
| ·磁控溅射设备简介 | 第36-37页 |
| ·ZnO薄膜的制备工艺步骤 | 第37-38页 |
| ·未掺杂与氮掺杂ZnO薄膜的性能分析 | 第38-47页 |
| ·未掺杂与氮掺杂ZnO薄膜的XRD和PL谱分析 | 第38-40页 |
| ·不同氮掺杂量的ZnO薄膜XRD及PL谱分析 | 第40-42页 |
| ·不同功率氮掺杂ZnO薄膜的XRD及PL谱分析 | 第42-45页 |
| ·薄膜的内应力 | 第45页 |
| ·电阻率 | 第45-46页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 在偏压条件下制备氮掺杂ZnO薄膜 | 第48-56页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·ZnO薄膜的结构分析 | 第48-49页 |
| ·加偏压的ZnO薄膜PL谱研究 | 第49-52页 |
| ·利用偏压方法制备的氮掺杂ZnO薄膜内应力计算 | 第52-53页 |
| ·加偏压的氮掺杂ZnO薄膜的扫描电镜(SEM) | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 以AIN为缓冲层制备氮掺杂ZnO薄膜 | 第56-59页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·AIN薄膜的制备以及以AIN为缓冲层制备氮掺杂ZnO薄膜 | 第56-57页 |
| ·以AIN为缓冲层制备的氮掺杂ZnO薄膜的XRD,PL及其应力分析 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第65页 |