| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 英文部分 | 第5-78页 |
| ACKNOWLEDGEMENTS | 第7-10页 |
| Nomenclature | 第10-11页 |
| List of tables | 第11-12页 |
| List of figures | 第12-15页 |
| Chapter 1 Introduction | 第15-31页 |
| ·Research Background of ZnO | 第15-17页 |
| ·Properties of ZnO | 第17-23页 |
| ·Structure and chemical bind | 第17-19页 |
| ·Electronic band structure | 第19-22页 |
| ·Important properties | 第22-23页 |
| ·Application | 第23-26页 |
| ·Preparation methods of ZnO thin film | 第26-30页 |
| ·Outline of this thesis | 第30-31页 |
| Chapter 2 Experimental | 第31-37页 |
| ·Magnetron Sputtering | 第31-33页 |
| ·Direct oxidation | 第33-34页 |
| ·Characterization methods | 第34-36页 |
| ·Scanning Electron Microscope (SEM) and Energy Dispersive X-ray spectroscopy (EDX) | 第34-35页 |
| ·X-ray diffraction (XRD) analysis | 第35页 |
| ·Raman spectrometer | 第35-36页 |
| ·Conclusion of chapter 2 | 第36-37页 |
| Chapter 3 Preparation of ZnO films by sputtering Zn target in O_2 atmosphere | 第37-56页 |
| ·Effects of the substrate temperature | 第37-41页 |
| ·Effects of the working pressure | 第41-43页 |
| ·Effects of the sputtering power | 第43-46页 |
| ·Effects of O_2/Ar ratio | 第46-48页 |
| ·Structural features and growth mechanism of the fabricated ZnO films | 第48-50页 |
| ·Photoluminescence properties | 第50-55页 |
| ·Conclusion of chapter 3 | 第55-56页 |
| CHAPTER 4 PREPARATION OF ZnO FILMS BY DIRECTLY OXIDIZING SPUTTERING DEPOSITED Zn FILMS | 第56-73页 |
| ·Effects of the oxidation time | 第56-64页 |
| ·Effects of the oxidation temperature | 第64-67页 |
| ·ZnO films by oxidizing in two stages at different temperature | 第67-70页 |
| ·Structure and photoluminescence properties of ZnO films synthesized by thermal oxidation | 第70-71页 |
| ·Comparison of the structure and photoluminescence properties of ZnO films by magnetron sputtering and thermal oxidation | 第71-72页 |
| ·Conclusion of chapter 4 | 第72-73页 |
| Chapter 5 Conclusion | 第73-75页 |
| REFERENCES | 第75-78页 |
| 中文部分 | 第78-106页 |
| 目录 | 第78-79页 |
| 第1章 绪论 | 第79-81页 |
| ·研究的目的和意义 | 第79页 |
| ·氧化锌的性质和结构 | 第79-80页 |
| ·ZnO 薄膜的应用及制备方法 | 第80-81页 |
| 第2章 实验介绍 | 第81-82页 |
| ·磁控溅射 | 第81页 |
| ·直接氧化法 | 第81页 |
| ·检测方法 | 第81-82页 |
| 第3章 反应磁控溅射制备氧化锌薄膜 | 第82-92页 |
| ·基片温度的影响 | 第82-85页 |
| ·工作气压的影响 | 第85-87页 |
| ·溅射功率的影响 | 第87-89页 |
| ·氧氩比的影响 | 第89-92页 |
| 第4章 直接氧化法制备氧化锌薄膜 | 第92-103页 |
| ·氧化时间的影响 | 第92-99页 |
| ·在300℃对锌膜氧化 | 第92-94页 |
| ·在400℃对锌膜氧化 | 第94-95页 |
| ·在500℃对锌膜氧化 | 第95-99页 |
| ·氧化温度的影响 | 第99-103页 |
| 结论 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
