微波光子移相器的理论设计及ICP制作工艺的研究
| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·相控阵技术 | 第7-8页 |
| ·传统相控阵技术概述 | 第7-8页 |
| ·光控相控阵技术概述 | 第8页 |
| ·微波光子移相器(MWPPS)研究进展 | 第8-12页 |
| ·基于光学真延时（OTTD）的移相器 | 第9-10页 |
| ·基于外差混频技术的移相器 | 第10页 |
| ·基于矢量和技术的移相器 | 第10-12页 |
| ·SOI 光波导器件的研究进展 | 第12-15页 |
| ·SOI 材料 | 第12-13页 |
| ·SOI 光波导器件 | 第13-15页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 VSMWPPS 的移相功能论证 | 第17-27页 |
| ·矢量和技术 | 第17-18页 |
| ·VSMWPPS 的结构设计 | 第18-19页 |
| ·MWPPS 中波谱行为的分析 | 第19-21页 |
| ·具体情况下输出信号振幅及相移特性分析 | 第21-24页 |
| ·系统模拟器件移相功能验证 | 第24-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第三章 微波光子移相器的结构设计 | 第27-50页 |
| ·波导延时线、分路器、合路器的优化设计 | 第27-32页 |
| ·波导延时线的优化设计 | 第27-30页 |
| ·分路器、合路器的优化设计 | 第30-32页 |
| ·MMI 型热光可变光衰减单元的设计 | 第32-49页 |
| ·MMI 可变光衰减单元的提出 | 第32-34页 |
| ·MMI 型可变光衰减单元的基本原理 | 第34-37页 |
| ·SOI 折射率的调制 | 第37-38页 |
| ·MMI 衰减单元基本参数设计 | 第38-44页 |
| ·器件的热光分析及其优化 | 第44-48页 |
| ·实际误差分析 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第四章 微波光子移相器关键工艺的研究 | 第50-65页 |
| ·微机电系统(MEMS)概述 | 第50-52页 |
| ·MEMS 基本概念和特点 | 第50页 |
| ·MEMS 加工技术 | 第50-52页 |
| ·电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术 | 第52-60页 |
| ·ICP 刻蚀工艺原理 | 第52-54页 |
| ·ICP 刻蚀系统工作原理 | 第54-55页 |
| ·ICP 刻蚀实验 | 第55-60页 |
| ·微波光子移相器制作过程中所需工艺设备与工艺参数 | 第60-61页 |
| ·光刻 | 第60-61页 |
| ·ICP 刻蚀 | 第61页 |
| ·微波光子移相器的工艺制作结果及测试 | 第61-64页 |
| ·SOI 波导的工艺制作 | 第61-62页 |
| ·光纤与光波导耦合实验 | 第62-63页 |
| ·测试系统的搭建 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结 | 第65-67页 |
| ·全文总结 | 第65-66页 |
| ·存在的问题与建议 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 摘要 | 第71-74页 |
| ABSTRACT | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
