| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-26页 |
| ·铁电体及铁电薄膜概述 | 第9-12页 |
| ·电介质材料 | 第9-10页 |
| ·铁电体 | 第10-11页 |
| ·铁电薄膜的表征 | 第11-12页 |
| ·钛酸锶钡(BST)铁电材料的晶体结构和介电性能 | 第12-17页 |
| ·BST铁电体的晶体结构 | 第12-14页 |
| ·BST铁电体的介电特性 | 第14-17页 |
| ·BST铁电薄膜的研究现状 | 第17-24页 |
| ·BST薄膜的制备方法 | 第17-21页 |
| ·BST薄膜的掺杂改性 | 第21-22页 |
| ·BST薄膜的研究进展 | 第22-24页 |
| ·课题选题依据及主要内容 | 第24-26页 |
| 第2章 BST薄膜的漏电流导电机制理论分析 | 第26-32页 |
| ·BST薄膜的漏电流导电机制 | 第26页 |
| ·电极限制型电流机制 | 第26-28页 |
| ·肖特基发射导电机制 | 第27-28页 |
| ·F-N导电机制 | 第28页 |
| ·直接隧道 | 第28页 |
| ·体限制型导电机制 | 第28-32页 |
| ·热生载流子机制 | 第28-29页 |
| ·杂质导电机制 | 第29-30页 |
| ·空间电荷限制电流 | 第30-32页 |
| 第3章 BST铁电薄膜的制备与测试 | 第32-45页 |
| ·Sol-Gel法制备掺镁BST薄膜 | 第32-40页 |
| ·Sol-Gel法制备方法的基本原理 | 第32-33页 |
| ·Sol-Gel法制膜所需设备 | 第33-36页 |
| ·实验材料 | 第36-37页 |
| ·影响Sol-Gel法制备铁电薄膜质量的因素 | 第37-38页 |
| ·BSMT铁电薄膜制备的工艺过程 | 第38-40页 |
| ·磁控溅射法制备BST铁电薄膜 | 第40-42页 |
| ·磁控溅射设备及溅射原理说明 | 第40-41页 |
| ·磁控溅射参数 | 第41-42页 |
| ·BST铁电薄膜的分析测试方法 | 第42-45页 |
| ·微结构分析方法 | 第42页 |
| ·电学性能分析测试方法 | 第42-45页 |
| 第4章 掺镁BST薄膜制备及低电场下漏电流机理研究 | 第45-55页 |
| ·不同掺杂量和退火温度BST薄膜的制备 | 第45-46页 |
| ·不同掺杂量和退火温度BST薄膜漏电流测试和分析 | 第46-50页 |
| ·低电场下Schottky和Schottky-limited current模型对比 | 第50-54页 |
| ·Schottky和Schottky-limited current模型介绍 | 第50-52页 |
| ·实验数据检验两种模型 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第5章 BST/P(VDF-TrFE)双层薄膜的制备及性能表征 | 第55-62页 |
| ·不同厚度P(VDF-TrFE)层复合膜的制备 | 第55-58页 |
| ·不同厚度P(VDF-TrFE)层复合膜C-V特性的测试和分析 | 第58-60页 |
| ·不同厚度P(VDF-TrFE)层复合膜漏电流的测试和分析 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第6章 总结与展望 | 第62-64页 |
| ·总结 | 第62-63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70页 |
