高可靠标准单元库的设计与验证
| 摘要 | 第1-13页 |
| ABSTRACT | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-21页 |
| ·课题研究背景 | 第14-15页 |
| ·国内外相关研究 | 第15-19页 |
| ·标准单元库研究现状 | 第15-16页 |
| ·可靠性问题研究现状 | 第16-19页 |
| ·课题主要研究内容 | 第19页 |
| ·论文组织结构 | 第19-21页 |
| 第二章 标准单元库设计 | 第21-37页 |
| ·标准单元库的概念 | 第21页 |
| ·标准单元库的建库方法和流程 | 第21-23页 |
| ·标准单元库逻辑设计 | 第23-26页 |
| ·单元类型选择 | 第23-24页 |
| ·单元驱动强度的优化 | 第24-26页 |
| ·标准单元库版图设计 | 第26-31页 |
| ·标准单元版图设计原理 | 第26-28页 |
| ·标准单元版图优化 | 第28-31页 |
| ·优化布线资源 | 第28-29页 |
| ·优化面积 | 第29-30页 |
| ·优化性能 | 第30页 |
| ·其它设计优化 | 第30-31页 |
| ·标准单元库视图提取 | 第31-36页 |
| ·物理模型的提取 | 第31-34页 |
| ·特征化参数的提取 | 第34-36页 |
| ·其他视图的提取 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 高可靠性标准单元设计 | 第37-58页 |
| ·集成电路的可靠性概述 | 第37-42页 |
| ·热载流子效应 | 第37-38页 |
| ·MOS器件的NBTI效应 | 第38页 |
| ·静电损伤 | 第38-39页 |
| ·闩锁效应 | 第39-40页 |
| ·电迁移 | 第40页 |
| ·辐射失效模式 | 第40-42页 |
| ·SOI器件的可靠性问题 | 第42页 |
| ·标准单元的可靠性设计 | 第42-55页 |
| ·抗电迁移效应设计 | 第43-44页 |
| ·抗闩锁效应设计 | 第44-47页 |
| ·抗单粒子效应设计 | 第47-54页 |
| ·单粒子效应所引发的软错误 | 第48页 |
| ·电路加固方法介绍 | 第48-54页 |
| ·抗总剂量效应设计 | 第54-55页 |
| ·SOI工艺下标准单元的可靠性设计 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 标准单元库的验证 | 第58-79页 |
| ·标准单元验证概述 | 第58-59页 |
| ·功能和性能测试 | 第59-72页 |
| ·功能测试 | 第59-61页 |
| ·组合逻辑单元功能测试 | 第59-60页 |
| ·时序逻辑单元功能测试 | 第60-61页 |
| ·延迟测试 | 第61-72页 |
| ·基本门的空载延迟以及带载延迟 | 第61-62页 |
| ·触发器CK→Q的延迟 | 第62-64页 |
| ·触发器的建立保持时间 | 第64-72页 |
| ·功耗测试 | 第72页 |
| ·测试芯片的设计 | 第72-74页 |
| ·数据准备 | 第73-74页 |
| ·布线流程 | 第74页 |
| ·物理验证 | 第74页 |
| ·版图后模拟 | 第74页 |
| ·可靠性测试 | 第74-78页 |
| ·测试标准 | 第75页 |
| ·虚拟仪器平台简介 | 第75-77页 |
| ·测试平台搭建 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 结束语 | 第79-80页 |
| ·本文工作总结 | 第79页 |
| ·未来工作展望 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第83页 |
