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激光诱导硅等离子体特性研究

中文摘要第1-9页
ABSTRACT第9-12页
第一章 引言第12-18页
   ·激光与物质相互作用在实际中的应用第12-13页
   ·激光与物质相互作用的研究背景第13-15页
   ·半导体材料Si 的研究意义及研究进展第15-17页
   ·本论文的主要内容及安排第17-18页
第二章 Si 激光等离子体发射谱的时间演化特性及其产生机制的分析第18-36页
   ·等离子体基本理论第18-23页
     ·等离子体的特性第18-19页
     ·激光等离子体的产生机制第19-20页
     ·等离子体辐射机制第20-22页
     ·等离子体对激光的吸收机制第22-23页
   ·实验装置和方法第23-24页
   ·结果和讨论第24-36页
     ·连续谱的时间演化及产生机制第24-31页
     ·特征谱分析第31-34页
     ·空气等离子体的产生机制第34-36页
第三章 激光等离子体电子密度和温度随时间演化的规律第36-48页
   ·电子密度的诊断第36-38页
   ·等离子体的电子密度第38-42页
   ·电子温度的诊断第42-45页
   ·等离子体的电子温度第45-48页
第四章 激光等离子体光谱展宽和频移的分析第48-59页
   ·谱线的展宽机制第48-56页
     ·自然展宽第48-50页
     ·多普勒展宽第50-51页
     ·Stark 展宽第51页
     ·仪器加宽第51-52页
     ·Si 等离子体谱线的展宽实验结果分析及主要展宽机制分析第52-56页
   ·发射光谱线的频移机制第56-59页
第五章 激光等离子体膨胀速度的实验和理论研究第59-66页
   ·等离子体膨胀速度的实验测量第59-63页
     ·时间飞行谱的分析第59-61页
     ·等离子体的膨胀速度第61-63页
   ·等离子体速度的理论计算第63-66页
     ·理论模型第63-64页
     ·计算结果与分析第64-66页
第六章 结论第66-68页
参考文献第68-73页
攻读硕士学位期间完成的论文第73-74页
致谢第74页

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