| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-14页 |
| 第一章 序论 | 第14-58页 |
| ·自旋电子学简介 | 第14页 |
| ·铁磁性半导体简介 | 第14-16页 |
| ·Ge基铁磁性半导体 | 第16-41页 |
| ·HfO_2基铁磁性半导体 | 第41-53页 |
| ·本论文研究的问题 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 第二章 研究方法和程序介绍 | 第58-68页 |
| ·密度泛函理论 | 第58-64页 |
| ·多粒子体系的薛定谔方程 | 第58-59页 |
| ·Hartree-Fock方程 | 第59-60页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第60-61页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第61-62页 |
| ·交换关联泛函 | 第62-63页 |
| ·赝势法和全电子法 | 第63-64页 |
| ·常用软件包简介 | 第64-66页 |
| ·ESPRESSO | 第64页 |
| ·Vienna Ab-initio Simulation Package(VASP) | 第64-65页 |
| ·Material Studio(MS) | 第65页 |
| ·Gaussian | 第65页 |
| ·WIEN | 第65页 |
| ·SIESTA | 第65-66页 |
| ·Espresso程序介绍 | 第66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第三章 Mn_xGe_(1-x)磁性半导体中H填隙传递的铁磁性 | 第68-82页 |
| ·引言 | 第68-70页 |
| ·研究方法与计算参数的设定 | 第70页 |
| ·计算结果和讨论 | 第70-80页 |
| ·不含H填隙的Mn_xGe_(1-x) | 第70-74页 |
| ·含有H填隙的Mn_xGe_(1-x)材料 | 第74-80页 |
| ·本章小结 | 第80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第四章 HfO_2体系中d电子对磁性的影响 | 第82-96页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·研究方法与计算参数的设定 | 第83-84页 |
| ·无掺杂HfO_2和Co掺杂HfO_2体系的电子结构和磁性 | 第84-90页 |
| ·研究体系的选取 | 第84-85页 |
| ·缺陷态的热稳定性 | 第85-87页 |
| ·Co掺杂HfO_2的电子结构 | 第87-90页 |
| ·LDA+U修正及U值的计算 | 第90-93页 |
| ·本章小结 | 第93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第五章 总结 | 第96-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 攻读博士学位期间发表的专业论文目录 | 第98-110页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第110页 |
