| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 多铁材料的分类 | 第11-17页 |
| 1.2.1 单相多铁性材料 | 第12-14页 |
| 1.2.2 复合相多铁性材料 | 第14-17页 |
| 1.3 铁磁/铁电多铁性异质结中的磁电耦合效应 | 第17-22页 |
| 1.3.1 应变机制的磁电耦合效应 | 第18-19页 |
| 1.3.2 交换偏置机制的磁电耦合效应 | 第19-20页 |
| 1.3.3 电荷机制的磁电耦合效应 | 第20-22页 |
| 1.4 本论文的研究动机和主要研究内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第二章 FM/FE样品的制备与表征技术原理 | 第26-35页 |
| 2.1 薄膜样品制备 | 第26-27页 |
| 2.1.1 薄膜样品制备方法 | 第26页 |
| 2.1.2 实验过程 | 第26-27页 |
| 2.2 样品性能参数的表征 | 第27-34页 |
| 2.2.1 铁电基底性能表征 | 第27-28页 |
| 2.2.2 薄膜厚度表征 | 第28页 |
| 2.2.3 铁磁薄膜静态磁性表征 | 第28-29页 |
| 2.2.4 铁磁薄膜动态磁性表征 | 第29-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 应变诱导磁电耦合与多态存储 | 第35-55页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 PMN-PT铁电基底特性 | 第36-39页 |
| 3.2.1 铁电性能 | 第36-37页 |
| 3.2.2 压电性能 | 第37-39页 |
| 3.3 电场调控Co薄膜面内各向异性场 | 第39-44页 |
| 3.4 电场调控Co薄膜面内磁矩转动 | 第44-48页 |
| 3.5 非易失性四态存储器 | 第48-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第四章 界面自旋极化电荷诱导的磁电耦合效应 | 第55-71页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 电场诱导FMR谱线形变 | 第55-64页 |
| 4.2.1 改变磁性材料和基底材料 | 第56-58页 |
| 4.2.2 改变磁性薄膜层厚度 | 第58-59页 |
| 4.2.3 谱线形变与界面自旋相关 | 第59-60页 |
| 4.2.4 电极化强度控制的FM/FE界面相互作用 | 第60-64页 |
| 4.3 界面自旋极化电荷诱导的磁电耦合效应 | 第64-69页 |
| 4.3.1 界面极化电荷引入的有效场 | 第65-67页 |
| 4.3.2 铁磁共振谱线线型 | 第67-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 界面自旋极化电荷磁电耦合效应诱导的各向异性 | 第71-87页 |
| 5.1 引言 | 第71页 |
| 5.2 区分应变机制和自旋极化电荷机制的磁电耦合效应 | 第71-76页 |
| 5.3 界面各向异性场和阻尼因子 | 第76-84页 |
| 5.3.1 界面各向异性场 | 第76-80页 |
| 5.3.2 各向异性阻尼因子 | 第80-84页 |
| 5.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 第六章 界面自旋极化电荷磁电耦合效应诱导的可变动态磁导率 | 第87-101页 |
| 6.1 引言 | 第87页 |
| 6.2 电场调控Co/PMN-PT动态磁导率 | 第87-93页 |
| 6.2.1 理论分析 | 第87-89页 |
| 6.2.2 Co/PMN-PT动态磁导率 | 第89-93页 |
| 6.3 双层膜结构验证动态磁导率的可变铁电调控机制 | 第93-99页 |
| 6.3.1 样品结构 | 第94页 |
| 6.3.2 双层膜样品的铁磁共振谱与磁谱 | 第94-99页 |
| 6.4 本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-101页 |
| 第七章 总结与展望 | 第101-104页 |
| 7.1 本论文的主要结论 | 第101-102页 |
| 7.2 对未来工作的展望 | 第102-104页 |
| 在学期间已发表和接受的论文 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105页 |
