GaN基pin光探测器的结构设计与优化
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·本课题研究的意义 | 第9-10页 |
| ·本课题研究的背景 | 第10-12页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 GaN 基pin 光探测器原理与物理模型 | 第14-26页 |
| ·pin 光探测器的机理 | 第14-15页 |
| ·探测器相关参数 | 第15-18页 |
| ·禁带宽度 | 第15-16页 |
| ·吸收系数和折射率 | 第16页 |
| ·复合系数 | 第16-17页 |
| ·迁移率 | 第17页 |
| ·量子效率与光谱响应 | 第17-18页 |
| ·UV/Solar 选择比 | 第18页 |
| ·能带偏移 | 第18页 |
| ·GaN 基pin 光探测器解析模型 | 第18-22页 |
| ·p 区中的扩散光电流 | 第19-20页 |
| ·本征区光电流 | 第20-21页 |
| ·n 区的扩散光电流 | 第21页 |
| ·总的光电流 | 第21-22页 |
| ·解析模型分析 | 第22-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 GaN 基正入射pin 光探测器 | 第26-43页 |
| ·GaN 基同质结pin 光探测器 | 第26-31页 |
| ·器件基本结构 | 第26-27页 |
| ·模拟与优化 | 第27-31页 |
| ·GaN 基异质结pin 光探测器 | 第31-41页 |
| ·基本结构和能带图 | 第31-32页 |
| ·结构的优化 | 第32-34页 |
| ·异质结器件的极化电荷 | 第34-36页 |
| ·极化电荷的影响 | 第36-38页 |
| ·势垒层的影响 | 第38-40页 |
| ·量子阱的影响 | 第40-41页 |
| ·本章 小结 | 第41-43页 |
| 第四章 GaN 基背入射pin 光探测器 | 第43-58页 |
| ·背照式紫外探测器 | 第43-44页 |
| ·基本器件结构 | 第44-47页 |
| ·器件结构的优化 | 第47-50页 |
| ·响应度随反偏电压变化趋势与分析 | 第50-52页 |
| ·探测率 | 第52-55页 |
| ·实验结果与理论结果比较与分析 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第65-66页 |
