高精度高稳定铬硅薄膜电阻制备技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·课题来源及研究的主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 电阻薄膜材料的理论基础 | 第12-20页 |
| ·电阻薄膜材料的理论基础 | 第12-15页 |
| ·薄膜的组织结构 | 第12-13页 |
| ·薄膜中的缺陷 | 第13-14页 |
| ·薄膜的热处理 | 第14-15页 |
| ·电阻薄膜的变化机理 | 第15页 |
| ·电阻薄膜材料分类 | 第15-20页 |
| ·镍－铬（Ni－Cr）系电阻薄膜材料 | 第16-17页 |
| ·铬－硅（Cr－Si）系电阻薄膜材料 | 第17-18页 |
| ·铬-一氧化硅（Cr－SiO）系电阻薄膜材料 | 第18-20页 |
| 第三章 电阻薄膜的制备方法 | 第20-31页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第20-21页 |
| ·溅射镀膜法 | 第21-28页 |
| ·溅射的基本原理 | 第23页 |
| ·溅射镀膜类型 | 第23-28页 |
| ·直流二极溅射 | 第24-25页 |
| ·射频溅射 | 第25-26页 |
| ·磁控溅射 | 第26-27页 |
| ·反应溅射 | 第27-28页 |
| ·蒸发和溅射工艺的对比 | 第28-31页 |
| 第四章 铬硅薄膜电阻制备工艺研究 | 第31-54页 |
| ·实验设备、靶材、工艺气体介绍 | 第31-33页 |
| ·实验设备 | 第31-32页 |
| ·靶材组分 | 第32-33页 |
| ·工艺气体 | 第33页 |
| ·工艺实验 | 第33-40页 |
| ·工艺流程 | 第34页 |
| ·衬底材料对铬硅薄膜电阻的影响 | 第34-35页 |
| ·Ar 与反应气体对铬硅薄膜电阻的影响 | 第35-37页 |
| ·铬硅薄膜电阻的溅射工艺研究 | 第37-39页 |
| ·铬硅薄膜电阻与真空退火的关系 | 第39-40页 |
| ·铬硅薄膜电阻的退火工艺研究 | 第40-44页 |
| ·实验过程 | 第40-43页 |
| ·实验数据分析及结论 | 第43-44页 |
| ·钝化层对铬硅薄膜电阻阻值的影响 | 第44-45页 |
| ·电阻条宽对铬硅薄膜电阻阻值的影响 | 第45-46页 |
| ·接触电阻对铬硅薄膜电阻的影响 | 第46-50页 |
| ·铝铜与钛钨的接触电阻 | 第46-49页 |
| ·金丝与铝铜的接触电阻 | 第49-50页 |
| ·激光修调对铬硅薄膜电阻阻值漂移的影响 | 第50-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第五章 薄膜电阻的常见参数 | 第54-60页 |
| ·薄膜电阻的常见参数 | 第54-59页 |
| ·膜电阻 | 第54-55页 |
| ·薄膜电阻的温度系数 | 第55页 |
| ·薄膜电阻比值温度系数－跟踪温度系数 | 第55-56页 |
| ·薄膜电阻偏差 | 第56页 |
| ·薄膜电阻变化率 | 第56-58页 |
| ·薄膜电阻电压系数 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论及展望 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65页 |
