| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| ·绿色镀膜玻璃概述 | 第11页 |
| ·防静电镀膜玻璃 | 第11-16页 |
| ·镀膜玻璃防静电原理 | 第12页 |
| ·防静电镀膜玻璃的种类 | 第12-15页 |
| ·ATO粉体的制备方法 | 第15-16页 |
| ·防紫外线玻璃 | 第16-24页 |
| ·紫外截止原理 | 第17-18页 |
| ·CeO_2-TiO_2薄膜国内外研究现状 | 第18-19页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第19-24页 |
| ·论文的意义及主要内容 | 第24-26页 |
| 第2章 实验部分 | 第26-34页 |
| ·实验装置和试剂 | 第26-27页 |
| ·实验装置 | 第26页 |
| ·实验试剂 | 第26-27页 |
| ·玻璃清洗 | 第27页 |
| ·样品制备 | 第27-31页 |
| ·SnO_2:Sb粉体的制备 | 第27-28页 |
| ·CeO_2-TiO_2溶胶及薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·ATO掺杂钛铈氧化物薄膜的制备 | 第29-31页 |
| ·试样结构与性能的分析测试方法 | 第31-34页 |
| ·电阻率测量 | 第31-32页 |
| ·粉体差示扫描量热分析(DSC-TG) | 第32页 |
| ·粉体与薄膜结构测定 | 第32-33页 |
| ·薄膜表面形貌的测定 | 第33页 |
| ·光学性能的测定 | 第33-34页 |
| 第3章 SnO_2:Sb粉体的结构与性能的表征 | 第34-46页 |
| ·Sb掺杂量对粉体的影响 | 第34-37页 |
| ·实验参数 | 第34页 |
| ·锑掺杂量对粉末的电学性能的影响 | 第34-36页 |
| ·锑掺杂量对粉末结构和粒径的影响 | 第36-37页 |
| ·不同水热反应温度对粉体的影响 | 第37-39页 |
| ·实验参数 | 第37页 |
| ·水热反应温度对粉末的电学性能的影响 | 第37-38页 |
| ·水热反应温度对粉末结构和粒径的影响 | 第38-39页 |
| ·不同PH值对粉体的影响 | 第39-42页 |
| ·实验参数 | 第39-40页 |
| ·pH值对粉体结构和粒径的影响 | 第40-41页 |
| ·pH值对粉体的电学性能的影响 | 第41-42页 |
| ·前驱体粉体热分析 | 第42-44页 |
| ·实验参数 | 第42页 |
| ·热处理温度对粉体电学性能的影响 | 第42-43页 |
| ·样品的差热分析 | 第43-44页 |
| ·前驱体粉体样品热处理前后的结构分析 | 第44页 |
| ·本章结论 | 第44-46页 |
| 第4章 CeO_2-TiO_2薄膜的结构及性能表征 | 第46-51页 |
| ·不同Ce:Ti摩尔比对薄膜试样的影响 | 第46-48页 |
| ·实验参数 | 第46页 |
| ·不同Ce:Ti摩尔比对薄膜紫外-可见透过率的影响 | 第46-47页 |
| ·不同Ce:Ti摩尔比对薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| ·不同薄膜厚度对薄膜试样的影响 | 第48-50页 |
| ·实验参数 | 第48页 |
| ·不同薄膜厚度对薄膜紫外-可见透过率的影响 | 第48-49页 |
| ·不同薄膜厚度对薄膜表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·本章结论 | 第50-51页 |
| 第5章 ATO粉体掺杂钛铈氧化物薄膜的制备与表征 | 第51-59页 |
| ·ATO掺杂量对薄膜性能的影响 | 第51-55页 |
| ·实验参数 | 第51页 |
| ·ATO掺杂量对薄膜紫外-可见透过率的影响 | 第51-52页 |
| ·ATO掺杂量对薄膜结构的影响 | 第52-53页 |
| ·ATO掺杂量对薄膜抗静电性能的影响 | 第53-54页 |
| ·ATO掺杂量对薄膜表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| ·薄膜厚度对薄膜性能的影响 | 第55-58页 |
| ·实验参数 | 第55页 |
| ·薄膜厚度对薄膜紫外-可见透过率的影响 | 第55-56页 |
| ·薄膜厚度对薄膜抗静电性能的影响 | 第56-57页 |
| ·薄膜厚度对薄膜表面形貌的影响 | 第57-58页 |
| ·本章结论 | 第58-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第65页 |