摘要 | 第1-30页 |
Abstract | 第30-37页 |
Chapter-1 Introduction | 第37-91页 |
·Historical Review of Organic Electroluminescence | 第37-39页 |
·Basics Concepts of OLED | 第39-45页 |
·Structure of OLED | 第39-41页 |
·Principle of OLED Operation | 第41-45页 |
·Organic Semiconductor Materials | 第45-57页 |
·Hole-injection Materials | 第46-47页 |
·Hole-transport Materials | 第47-50页 |
·Electron-transport Materials | 第50-55页 |
·Hole Blocking Materials | 第55-57页 |
·Electronic Process in Host-Guest System | 第57-59页 |
·Fluorescent Dopants | 第59-65页 |
·Green | 第59-60页 |
·Blue | 第60-62页 |
·Red | 第62-65页 |
·Energy Transfer Process in EML and Color Tuning | 第65-69页 |
·Charge Carrier Transport in OLEDs | 第69-71页 |
·Charge Carrier Mobilities | 第71-76页 |
·Time-of-flight Method | 第72-74页 |
·TF-SCLC Method | 第74-75页 |
·Diode Method | 第75-76页 |
·Space-Charge Limited Current (SCLC) | 第76-79页 |
·Field Dependent Mobility | 第78-79页 |
References | 第79-91页 |
Chapter-2 Red Organic Light-Emitting Diodes Realized via Two-Step Energy Transfer basedon 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (ADN) and a co-host System | 第91-113页 |
·Introduction | 第91-93页 |
·Experimental Detail | 第93-94页 |
·Results and Discussions | 第94-110页 |
·Forster Type Energy Transfer | 第94-97页 |
·PL and Absorption Spectra of the Materials | 第97-99页 |
·EL Spectra of the ADN-based Devices | 第99-101页 |
·EL Characteristics of co-doped Devices | 第101-103页 |
·Polarization Effects on the Emission Spectra | 第103-105页 |
·Emission Mechanism in co-doped Devices | 第105-108页 |
·Transport Characteristics in the co-host Devices | 第108-110页 |
·Conclusions | 第110页 |
References | 第110-113页 |
Chapter-3 Low Voltage Devices based on MoO_3 as a hole Injection Layer and OptimizedCharge Balance by using BPhen as an Electron Transport Layer | 第113-131页 |
·Introduction | 第113-114页 |
·Experimental Detail | 第114-115页 |
·Device Structure and Materials | 第115-116页 |
·Results and Discussions | 第116-127页 |
·Charge Carrier Injection | 第116-118页 |
·EL Spectra of m-MTDATA-based Devices | 第118-119页 |
·EL Spectra of MoO_3-based Devices | 第119-122页 |
·EL Characteristics of Devices Based on Buffer Layers | 第122-125页 |
·Injection and Transport Properties of only-devices | 第125-127页 |
·Conclusions | 第127-128页 |
References | 第128-131页 |
Chapter-4 Estimation of Electron Mobility of n-doped 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline usingSpace-Charge-Limited Currents (SCLC) | 第131-147页 |
·Introduction | 第131-133页 |
·Experimental Detail | 第133-134页 |
·Results and Discussions | 第134-143页 |
·Carrier Transport in Organic Layers | 第134-135页 |
·Impact of Conductive Doping on Electron Transport Layer | 第135页 |
·Charge Carrier Mobility Measurement Techniques | 第135-136页 |
·Electron-only Devices | 第136-138页 |
·Space Charge Limited Currents (SCLC) | 第138-139页 |
·Estimation of Electron Mobility by using SCLC | 第139-142页 |
·Dependence of Pool Frenkel Slope (β) on BPhen Thicknesses | 第142-143页 |
·Conclusions | 第143页 |
References | 第143-147页 |
Chapter-5 Summary | 第147-151页 |
List of Publications | 第151-154页 |
Project Undertaken | 第154-155页 |
Acknowledgements | 第155页 |