| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 MPCVD装置的发展 | 第11-15页 |
| 1.3 国外对于MPCVD的研究 | 第15-16页 |
| 1.4 国内MPCVD研究现状 | 第16-18页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 2 水平流腔体的结构设计及相关数值模型的建立 | 第19-33页 |
| 2.1 腔体结构设计 | 第19-20页 |
| 2.2 沉积原理分析 | 第20-21页 |
| 2.3 模型的建立及物理过程分析 | 第21-24页 |
| 2.3.1 模型基本假设 | 第21页 |
| 2.3.2 数值模拟工具选取 | 第21-22页 |
| 2.3.3 几何模型的建立及物理过程分析 | 第22-24页 |
| 2.4 控制方程及边界条件 | 第24-29页 |
| 2.4.1 工艺参数分析 | 第24页 |
| 2.4.2 控制方程 | 第24-28页 |
| 2.4.3 边界条件 | 第28-29页 |
| 2.5 反应气体物性参数分析 | 第29-30页 |
| 2.6 网格划分、区域离散及求解 | 第30-32页 |
| 2.6.1 网格的划分 | 第30-31页 |
| 2.6.2 区域离散及求解 | 第31-32页 |
| 2.7 本章小结 | 第32-33页 |
| 3 旋转衬底对薄膜生长特性的影响 | 第33-46页 |
| 3.1 旋转衬底对流体特性的影响 | 第33-37页 |
| 3.1.1 流场特性 | 第33-35页 |
| 3.1.2 压场分布 | 第35-37页 |
| 3.2 旋转衬底对温度场的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 旋转衬底对衬底上方Ⅴ/Ⅲ比的影响 | 第39-42页 |
| 3.3.1 Ⅴ/Ⅲ比分析 | 第39-40页 |
| 3.3.2 不同旋转速度下衬底上表面Ⅴ/Ⅲ比变化 | 第40-42页 |
| 3.4 旋转衬底对薄膜生长特性的影响 | 第42-45页 |
| 3.4.1 薄膜生长速率分布 | 第42-44页 |
| 3.4.2 均值及标准差分析 | 第44-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 不同模式下薄膜生长均匀性的研究 | 第46-60页 |
| 4.1 基于静止模式的分析 | 第46-55页 |
| 4.1.1 腔体高度对薄膜生长均匀性的影响 | 第46-48页 |
| 4.1.2 布气方式对薄膜生长特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.1.3 腔体顶部结构对薄膜生长均匀性的影响 | 第50-52页 |
| 4.1.4 不同工艺参数下薄膜生长特性分析 | 第52-55页 |
| 4.2 基于高速模式的分析 | 第55-58页 |
| 4.2.1 不同腔体结构下薄膜生长速率变化 | 第56-57页 |
| 4.2.2 工艺参数分析 | 第57-58页 |
| 4.3 基于低速模式的分析 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 5 基于能量耦合的水平流MPCVD反应腔设计与研究 | 第60-71页 |
| 5.1 MPCVD谐振腔微波理论基础 | 第60-61页 |
| 5.2 新型谐振腔设计 | 第61-63页 |
| 5.3 谐振腔尺寸优化及可调谐性能研究 | 第63-68页 |
| 5.3.1 腔体基本尺寸确定 | 第63-65页 |
| 5.3.2 同轴天线凸台优化 | 第65-66页 |
| 5.3.3 谐振腔可调谐性能研究 | 第66-68页 |
| 5.4 等离子体特性分析 | 第68-70页 |
| 5.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 6 总结与展望 | 第71-73页 |
| 6.1 总结 | 第71-72页 |
| 6.2 展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |