| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 非易失性半导体存储器进展 | 第10-14页 |
| 1.2.1 闪存 | 第11页 |
| 1.2.2 铁电存储器(FRAM) | 第11-12页 |
| 1.2.3 磁阻存储器(MRAM) | 第12-13页 |
| 1.2.4 相变存储器(PCRAM) | 第13-14页 |
| 1.3 阻变存储器 | 第14-23页 |
| 1.3.1 结构和开关特性 | 第14-15页 |
| 1.3.2 阻变存储器的材料 | 第15-17页 |
| 1.3.2.1 工作层材料 | 第15-16页 |
| 1.3.2.2 电极材料 | 第16-17页 |
| 1.3.3 开关机制 | 第17-23页 |
| 1.3.3.1 电化学金属机制(ECM) | 第17-20页 |
| 1.3.3.2 离子/空位迁移机制(VCM) | 第20-21页 |
| 1.3.3.3 热化学机制(TCM) | 第21页 |
| 1.3.3.4 阈值开关机制(TS) | 第21-23页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 基于ZnO薄膜的阻变存储器研究 | 第24-52页 |
| 2.1 基于ZnO薄膜的阻变存储器的制备及表征 | 第24-27页 |
| 2.1.1 器件的制备 | 第24-25页 |
| 2.1.2 器件的表征 | 第25-27页 |
| 2.2 阻变器件性能及机制的探究 | 第27-46页 |
| 2.2.1 不同顶电极对器件开关性能的影响 | 第27-36页 |
| 2.2.1.1 Ag/ZnO/Pt器件的开关特性 | 第27-29页 |
| 2.2.1.2 Ti/ZnO/Pt器件的开关特性 | 第29-31页 |
| 2.2.1.3 Pt/ZnO/Pt器件的开关特性 | 第31页 |
| 2.2.1.4 不同顶电极对应不同开关特性的机理探究 | 第31-35页 |
| 2.2.1.5 小节小结 | 第35-36页 |
| 2.2.2 不同工作层厚度器件开关性能的影响 | 第36-42页 |
| 2.2.3 不同顶电极尺寸对器件开关性能的影响 | 第42-46页 |
| 2.3 基于ZnO薄膜的阻变存储器工作过程中的极性反转现象的探究 | 第46-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第三章 基于多层黑磷薄膜的阻变存储器的研究 | 第52-59页 |
| 3.1 基于多层黑磷薄膜的阻变存储器的制备及表征 | 第52-55页 |
| 3.1.1 器件的制备 | 第52-54页 |
| 3.1.2 器件的表征 | 第54-55页 |
| 3.2 基于多层黑磷薄膜的阻变存储器的电学性能 | 第55-56页 |
| 3.3 基于多层黑磷薄膜的阻变存储器的工作机理探究 | 第56-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 4.1 论文总结 | 第59-60页 |
| 4.2 展望与建议 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 研究成果 | 第69页 |
