| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 引言 | 第15-17页 |
| 1.2 新型二维材料的发展 | 第17-18页 |
| 1.3 氮化硼的特性及应用 | 第18-20页 |
| 1.4 研究进展与面临的困难 | 第20-21页 |
| 1.5 论文框架 | 第21-23页 |
| 第二章 研究方法与表征技术 | 第23-41页 |
| 2.1 研究方法 | 第23-27页 |
| 2.1.1 低压化学气相沉积(LPCVD) | 第23-25页 |
| 2.1.2 第一性原理计算方法 | 第25-26页 |
| 2.1.3 金属有机化学气相外延(MOCVD) | 第26-27页 |
| 2.2 表征技术 | 第27-41页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM)[75] | 第27-29页 |
| 2.2.2 光学显微镜(OM) | 第29页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(FIB/TEM) | 第29-31页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第31-32页 |
| 2.2.5 原子力显微镜(AFM)[79] | 第32-33页 |
| 2.2.6 四探针电学性能测试 | 第33-35页 |
| 2.2.7 俄歇电子能谱仪(AES) | 第35-36页 |
| 2.2.8 拉曼光谱(Raman) | 第36-37页 |
| 2.2.9 霍尔测量(Hall) | 第37-38页 |
| 2.2.10 单探针点接触法[82] | 第38-41页 |
| 第三章 大面积可控单层h-BN薄膜的生长 | 第41-67页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 铜箔衬底的单层h-BN生长 | 第42-51页 |
| 3.2.1 铜箔的抛光方法 | 第42-44页 |
| 3.2.2 h-BN在铜衬底上的成核机制 | 第44-47页 |
| 3.2.3 生长参数的优化与单层h-BN的实现 | 第47-51页 |
| 3.3 同轴卷曲衬底合成超大面积的h-BN薄膜 | 第51-58页 |
| 3.3.1 实验设计与方法 | 第51-52页 |
| 3.3.2 同轴圈卷铜箔衬底和叉状支撑方法 | 第52-55页 |
| 3.3.3 大面积h-BN薄膜的转移技术 | 第55-58页 |
| 3.4 h-BN薄膜的表征及应用 | 第58-66页 |
| 3.4.1 h-BN薄膜的表征 | 第58-61页 |
| 3.4.2 h-BN预导向生长整齐阵列的ZnO纳米柱 | 第61-63页 |
| 3.4.3 h-BN缓冲层外延生长GaN厚膜技术 | 第63-66页 |
| 3.5 小结 | 第66-67页 |
| 第四章 h-BN薄膜的p、n型导电掺杂的理论研究 | 第67-91页 |
| 4.1 引言 | 第67-68页 |
| 4.2 本征六方氮化硼电子结构及特性 | 第68-73页 |
| 4.2.1 计算方法与模型的建立 | 第68-70页 |
| 4.2.2 单层h-BN的电子结构 | 第70-71页 |
| 4.2.3 空位缺陷对h-BN结构性质的影响 | 第71-73页 |
| 4.3 六方氮化硼p型掺杂设计与激活机理 | 第73-82页 |
| 4.3.1 模型的建立与杂质原子的选取 | 第73-74页 |
| 4.3.2 微观几何结构和杂质结合能 | 第74-77页 |
| 4.3.3 单原子层h-BN的p型掺杂电子结构分析 | 第77-82页 |
| 4.4 六方氮化硼n型掺杂设计与激活机理 | 第82-89页 |
| 4.4.1 模型的建立与杂质原子的选取 | 第82-83页 |
| 4.4.2 微观几何结构和杂质结合能 | 第83-85页 |
| 4.4.3 六方氮化硼的n型掺杂电子结构分析 | 第85-89页 |
| 4.5 小结 | 第89-91页 |
| 第五章 h-BN薄膜的p、n型导电掺杂技术研究及应用 | 第91-111页 |
| 5.1 引言 | 第91-92页 |
| 5.2 六方氮化硼的p型掺杂技术 | 第92-97页 |
| 5.2.1 杂质源前驱物材料的选择 | 第92-94页 |
| 5.2.2 实验设计与可能的反应路径 | 第94-96页 |
| 5.2.3 Mg掺杂h-BN薄膜的LPCVD技术 | 第96-97页 |
| 5.3 p型h-BN的表征与应用 | 第97-104页 |
| 5.3.1 p型h-BN的结构性质的表征 | 第97-100页 |
| 5.3.2 p型h-BN的电学性质的表征 | 第100-103页 |
| 5.3.3 p型h-BN的应用 | 第103-104页 |
| 5.4 六方氮化硼的n型掺杂技术 | 第104-109页 |
| 5.4.1 六方氮化硼n型掺杂的方法设计 | 第104-106页 |
| 5.4.2 h-BN薄膜的脉冲c掺杂技术 | 第106-107页 |
| 5.4.3 n型掺杂h-BN薄膜的表征分析 | 第107-109页 |
| 5.5 小结 | 第109-111页 |
| 第六章 总结与展望 | 第111-115页 |
| 参考文献 | 第115-123页 |
| 附录 硕士期间发表的文章 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125页 |
