摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
主要符号表 | 第19-20页 |
1 绪论 | 第20-37页 |
1.1 低温等离子体和半导体制造 | 第20-22页 |
1.2 等离子体沉积和刻蚀 | 第22-26页 |
1.3 反应物的产生和输运过程 | 第26-31页 |
1.3.1 等离子体源 | 第26-29页 |
1.3.2 等离子体鞘层和离子能量分布 | 第29-31页 |
1.4 等离子体刻蚀的仿真模拟 | 第31-36页 |
1.4.1 等离子体刻蚀中的多尺度过程 | 第31-33页 |
1.4.2 多尺度模型的研究背景 | 第33-36页 |
1.5 本文的研究内容与安排 | 第36-37页 |
2 刻蚀剖面演化的多尺度模型 | 第37-52页 |
2.1 引言 | 第37-38页 |
2.2 腔室模型 | 第38-40页 |
2.2.1 腔室模拟简介 | 第38-39页 |
2.2.2 整体模型 | 第39-40页 |
2.3 鞘层模型 | 第40-44页 |
2.3.1 混合鞘层模型简介 | 第40-41页 |
2.3.2 流体模型 | 第41-42页 |
2.3.3 离子碰撞过程的模拟 | 第42-44页 |
2.4 特征尺度的刻蚀槽模型 | 第44-48页 |
2.4.1 元胞法 | 第44页 |
2.4.2 反应物在刻蚀槽内的运动 | 第44-45页 |
2.4.3 离子的表面反射 | 第45-46页 |
2.4.4 离子运动和充电效应 | 第46-47页 |
2.4.5 副产物的再沉积 | 第47-48页 |
2.5 表面反应模型 | 第48-51页 |
2.5.1 简介 | 第48页 |
2.5.2 刻蚀产额与离子能量的依赖关系 | 第48-49页 |
2.5.3 表面覆盖度平衡法 | 第49-50页 |
2.5.4 表面反应的蒙特卡罗几率法 | 第50-51页 |
2.6 本章小结 | 第51-52页 |
3 反应物的输运与刻蚀的微观不均匀性 | 第52-71页 |
3.1 引言 | 第52-53页 |
3.2 宏观放电参数对反应物的产生和离子在鞘层中运动的影响 | 第53-59页 |
3.2.1 反应物的产生 | 第53-56页 |
3.2.2 离子穿越鞘层后的能量和角度分布 | 第56-59页 |
3.3 微观刻蚀槽尺度下反应物的输运和表面分布 | 第59-64页 |
3.3.1 离子在刻蚀槽表面的分布 | 第60-62页 |
3.3.2 充电效应对离子运动的影响 | 第62-64页 |
3.4 表面反应 | 第64-65页 |
3.5 放电参数对刻蚀剖面演化过程的影响 | 第65-67页 |
3.5.1 气压对刻蚀剖面演化的影响 | 第65-66页 |
3.5.2 偏压对刻蚀剖面演化的影响 | 第66-67页 |
3.6 刻蚀的微观不均匀性 | 第67-70页 |
3.6.1 充电效应 | 第67-69页 |
3.6.2 刻蚀副产物的再沉积 | 第69-70页 |
3.7 本章小结 | 第70-71页 |
4 Ar/C_4F_8等离子体中SiO_2的刻蚀 | 第71-97页 |
4.1 引言 | 第71-73页 |
4.2 反应物的产生与离子能量和角度分布 | 第73-80页 |
4.2.1 反应器尺度的放电模拟 | 第73-77页 |
4.2.2 离子穿越鞘层后的能量和角度分布 | 第77-80页 |
4.3 表面反应模型和蒙特卡罗法 | 第80-85页 |
4.4 放电参数对刻蚀剖面演化的影响 | 第85-89页 |
4.4.1 放电气压和功率对刻蚀剖面演化的影响 | 第85-88页 |
4.4.2 偏压对刻蚀剖面演化的影响 | 第88-89页 |
4.5 微观不均匀性与剖面形貌控制 | 第89-96页 |
4.5.1 充电效应 | 第89-91页 |
4.5.2 侧壁保护 | 第91-92页 |
4.5.3 离子能量调制与刻蚀剖面形貌控制 | 第92-96页 |
4.6 本章小结 | 第96-97页 |
5 原子层刻蚀 | 第97-110页 |
5.1 引言 | 第97-99页 |
5.2 Si的原子层刻蚀 | 第99-102页 |
5.3 Si的长脉冲偏压刻蚀 | 第102-106页 |
5.4 SiO_2的原子层刻蚀 | 第106-109页 |
5.5 本章小结 | 第109-110页 |
6 结论与展望 | 第110-112页 |
6.1 结论 | 第110-111页 |
6.2 创新点 | 第111页 |
6.3 展望 | 第111-112页 |
参考文献 | 第112-120页 |
攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第120-121页 |
致谢 | 第121-122页 |
作者简介 | 第122页 |