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等离子体刻蚀中反应物输运对剖面演化影响的多尺度研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
主要符号表第19-20页
1 绪论第20-37页
    1.1 低温等离子体和半导体制造第20-22页
    1.2 等离子体沉积和刻蚀第22-26页
    1.3 反应物的产生和输运过程第26-31页
        1.3.1 等离子体源第26-29页
        1.3.2 等离子体鞘层和离子能量分布第29-31页
    1.4 等离子体刻蚀的仿真模拟第31-36页
        1.4.1 等离子体刻蚀中的多尺度过程第31-33页
        1.4.2 多尺度模型的研究背景第33-36页
    1.5 本文的研究内容与安排第36-37页
2 刻蚀剖面演化的多尺度模型第37-52页
    2.1 引言第37-38页
    2.2 腔室模型第38-40页
        2.2.1 腔室模拟简介第38-39页
        2.2.2 整体模型第39-40页
    2.3 鞘层模型第40-44页
        2.3.1 混合鞘层模型简介第40-41页
        2.3.2 流体模型第41-42页
        2.3.3 离子碰撞过程的模拟第42-44页
    2.4 特征尺度的刻蚀槽模型第44-48页
        2.4.1 元胞法第44页
        2.4.2 反应物在刻蚀槽内的运动第44-45页
        2.4.3 离子的表面反射第45-46页
        2.4.4 离子运动和充电效应第46-47页
        2.4.5 副产物的再沉积第47-48页
    2.5 表面反应模型第48-51页
        2.5.1 简介第48页
        2.5.2 刻蚀产额与离子能量的依赖关系第48-49页
        2.5.3 表面覆盖度平衡法第49-50页
        2.5.4 表面反应的蒙特卡罗几率法第50-51页
    2.6 本章小结第51-52页
3 反应物的输运与刻蚀的微观不均匀性第52-71页
    3.1 引言第52-53页
    3.2 宏观放电参数对反应物的产生和离子在鞘层中运动的影响第53-59页
        3.2.1 反应物的产生第53-56页
        3.2.2 离子穿越鞘层后的能量和角度分布第56-59页
    3.3 微观刻蚀槽尺度下反应物的输运和表面分布第59-64页
        3.3.1 离子在刻蚀槽表面的分布第60-62页
        3.3.2 充电效应对离子运动的影响第62-64页
    3.4 表面反应第64-65页
    3.5 放电参数对刻蚀剖面演化过程的影响第65-67页
        3.5.1 气压对刻蚀剖面演化的影响第65-66页
        3.5.2 偏压对刻蚀剖面演化的影响第66-67页
    3.6 刻蚀的微观不均匀性第67-70页
        3.6.1 充电效应第67-69页
        3.6.2 刻蚀副产物的再沉积第69-70页
    3.7 本章小结第70-71页
4 Ar/C_4F_8等离子体中SiO_2的刻蚀第71-97页
    4.1 引言第71-73页
    4.2 反应物的产生与离子能量和角度分布第73-80页
        4.2.1 反应器尺度的放电模拟第73-77页
        4.2.2 离子穿越鞘层后的能量和角度分布第77-80页
    4.3 表面反应模型和蒙特卡罗法第80-85页
    4.4 放电参数对刻蚀剖面演化的影响第85-89页
        4.4.1 放电气压和功率对刻蚀剖面演化的影响第85-88页
        4.4.2 偏压对刻蚀剖面演化的影响第88-89页
    4.5 微观不均匀性与剖面形貌控制第89-96页
        4.5.1 充电效应第89-91页
        4.5.2 侧壁保护第91-92页
        4.5.3 离子能量调制与刻蚀剖面形貌控制第92-96页
    4.6 本章小结第96-97页
5 原子层刻蚀第97-110页
    5.1 引言第97-99页
    5.2 Si的原子层刻蚀第99-102页
    5.3 Si的长脉冲偏压刻蚀第102-106页
    5.4 SiO_2的原子层刻蚀第106-109页
    5.5 本章小结第109-110页
6 结论与展望第110-112页
    6.1 结论第110-111页
    6.2 创新点第111页
    6.3 展望第111-112页
参考文献第112-120页
攻读博士学位期间科研项目及科研成果第120-121页
致谢第121-122页
作者简介第122页

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