| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 光阴极材料发展概况 | 第10-12页 |
| 1.2 GaAs光电阴极研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 GaAs光电阴极特征参数 | 第15-17页 |
| 1.4 GaAs光电阴极面临挑战 | 第17-21页 |
| 1.5 研究背景和意义 | 第21-22页 |
| 1.6 论文的主要内容 | 第22-24页 |
| 2 GaAs阵列光电阴极光电发射理论及仿真分析 | 第24-45页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 GaAs的材料特性 | 第25-29页 |
| 2.3 AlGaAs的材料特性 | 第29-30页 |
| 2.4 GaAs阵列光电阴极的光电发射模型 | 第30-35页 |
| 2.5 GaAs纳米阵列光电阴极光电特性仿真分析 | 第35-44页 |
| 2.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 3 GaAs微/纳米线阵列制备 | 第45-73页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 “自下而上”GaAs微米/纳米线制备方法 | 第45-48页 |
| 3.3 “自上而下”GaAs微米/纳米线制备方法 | 第48-51页 |
| 3.4 GaAs微米阵列制备 | 第51-61页 |
| 3.5 GaAs纳米阵列制备 | 第61-71页 |
| 3.6 本章小结 | 第71-73页 |
| 4 GaAs阵列光电阴极制备 | 第73-84页 |
| 4.1 光电阴极实验系统介绍 | 第73-76页 |
| 4.2 GaAs阵列光电阴极的表面净化 | 第76-77页 |
| 4.3 GaAs阵列光电阴极的Cs、O激活 | 第77-78页 |
| 4.4 实验分析 | 第78-83页 |
| 4.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 5 变掺杂变组分AlGaAs/GaAs光电阴极分辨力特性分析 | 第84-97页 |
| 5.1 引言 | 第84-88页 |
| 5.2 变掺杂变组分AlGaAs/GaAs光电阴极分辨力特性分析 | 第88-95页 |
| 5.3 本章小结 | 第95-97页 |
| 6 变掺杂变组分AlGaAs/GaAs纳米线器件扫描光电流仿真分析 | 第97-111页 |
| 6.1 引言 | 第97页 |
| 6.2 变掺杂变组分AlGaAs/GaAs纳米器件扫描光电流模型 | 第97-101页 |
| 6.3 变掺杂变组分AlGaAs/GaAs纳米器件SPCM仿真分析 | 第101-110页 |
| 6.4 本章小结 | 第110-111页 |
| 7 研究总结与展望 | 第111-116页 |
| 7.1 研究内容总结 | 第111-114页 |
| 7.2 本文的创新点 | 第114页 |
| 7.3 有待进一步探讨的问题 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-134页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文 | 第134-136页 |
| 附录2 攻读博士学位期间申请的发明专利和其它成果 | 第136-137页 |
| 附录3 攻读博士学位期间参与的科研项目 | 第137页 |
