摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-7页 |
1 概论 | 第10-19页 |
1.1 多铁材料 | 第10-13页 |
1.2 二维材料 | 第13-17页 |
1.3 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
2 理论基础以及计算软件包 | 第19-31页 |
2.1 第一性原理理论介绍 | 第20-29页 |
2.2 计算软件介绍 | 第29-31页 |
3 3D过渡金属掺杂的第IV主族金属硫族化合物MX(SnS,SnSe,GeS,GeSe) | 第31-45页 |
3.1 研究背景 | 第31-34页 |
3.2 计算方法以及计算参数的设置 | 第34-35页 |
3.3 计算结果讨论 | 第35-44页 |
3.4 本章小结 | 第44-45页 |
4 第IV主族金属硫族化合物MX(SnS,SnSe,GeS,GeSe)的卤素原子修饰研究 | 第45-53页 |
4.1 研究背景 | 第45-46页 |
4.2 计算方法以及计算参数的设置 | 第46页 |
4.3 计算结果讨论 | 第46-51页 |
4.4 本章小结 | 第51-53页 |
5 总结展望 | 第53-56页 |
5.1 总结 | 第53-55页 |
5.2 展望 | 第55-56页 |
致谢 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-63页 |
附录 A 攻读学位期间发表的学术论文 | 第63页 |