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低维磁性材料中的拓扑缺陷

中文摘要第7-9页
英文摘要第9-11页
第一章 绪论第12-44页
    1.1 为什么要研究低维磁性材料第12-13页
    1.2 磁学中常见的能量关系第13-17页
        1.2.1 交换能第13-16页
        1.2.2 各向异性能第16-17页
    1.3 低维磁性材料中的拓扑缺陷第17-33页
        1.3.1 拓扑学简介第18-20页
            1.3.1.1 手征性第19-20页
            1.3.1.2 卷绕数第20页
        1.3.2 铁磁性材料中的涡旋第20-22页
        1.3.3 手征磁性材料中的skyrmion第22-33页
            1.3.3.1 skyrmion晶体的发现第22-27页
            1.3.3.2 形成skyrmion结构的几种机制第27页
            1.3.3.3 skyrmion的运动和演生电动力学第27-33页
    1.4 蒙特卡罗方法简介第33-38页
        1.4.1 统计物理中的蒙特卡罗方法第34-35页
        1.4.2 重要性抽样及Metropolis算法第35-37页
        1.4.3 过弛豫算法第37-38页
    1.5 本文的结构第38-39页
    参考文献第39-44页
第二章 垂直各向异性和磁场对纳米磁体中磁性状态的调控第44-58页
    2.1 纳米结构中磁性状态调控的研究背景和动机第44-45页
    2.2 模型和模拟方法第45-46页
    2.3 模拟结果及讨论第46-54页
        2.3.1 涡旋-泡状磁畴的相变第46-48页
        2.3.2 磁场的作用第48-50页
        2.3.3 自旋构型的几何和尺寸效应第50-52页
        2.3.4 饱和磁化状态磁畴的稳定性第52-54页
    2.4 本章小结第54-55页
    参考文献第55-58页
第三章 带compass各向异性的手征磁体中奇异skyrmion晶体第58-89页
    3.1 带compsss各向异性的手征磁体研究背景和动机第58-61页
    3.2 模型和模拟方法第61-64页
        3.2.1 模型介绍第61-62页
        3.2.2 模拟方法第62-63页
        3.2.3 表征自旋结构的参量第63-64页
    3.3 相图和有序自旋相第64-67页
    3.4 扩展的连续自旋模型和compass各向异性第67-72页
        3.4.1 连续自旋处理方法第67-69页
        3.4.2 自旋波模型第69-72页
        3.4.3 考虑进compass各向异性的长波近似解第72页
    3.5 SC_2相:MnGe中可能的基态第72-82页
        3.5.1 单螺旋自旋态到正交晶状自旋态的过渡第73-74页
        3.5.2 SC_1和SC_2相: 零磁场下的基态第74-77页
        3.5.3 SC_2相在H_z作用下的演化行为第77-81页
        3.5.4 SC_2相在H_x作用下的演化行为第81-82页
    3.6 本章小结第82-85页
    参考文献第85-89页
第四章 Mn_(1-x)Fe_xGe混合物中可调控的螺旋磁序第89-98页
    4.1 Mn_(1-x)Fe_xGe混合物的研究背景和动机第89-90页
    4.2 模型和模拟方法第90-91页
    4.3 模拟结果与讨论第91-95页
    4.4 本章小结第95-96页
    参考文献第96-98页
第五章 电流驱动纳米盘中skyrmion运动第98-111页
    5.1 电流驱动skyrmion运动的研究背景和动机第98-99页
    5.2 模型和模拟方法第99-100页
    5.3 模拟结果与讨论第100-107页
        5.3.1 纳米圆盘中单个skyrmion亚稳态第100-102页
        5.3.2 直流电流驱动skyrmion运动第102-103页
        5.3.3 交变电流驱动skyrmion运动第103-105页
        5.3.4 亚稳skyrmion质心自旋极化方向的调控第105-107页
    5.4 本章小结第107-109页
    参考文献第109-111页
第六章 总结和展望第111-114页
    6.1 总结第111-113页
    6.2 展望第113-114页
附录第114-118页
博士期间发表论文目录第118-119页
致谢第119-120页

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