低功耗高线性射频低噪声放大器与混频器的研究与设计
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第16-27页 |
1.1 研究背景及意义 | 第16-17页 |
1.2 研究现状 | 第17-25页 |
1.2.1 低功耗高线性低噪声放大器的研究现状 | 第17-21页 |
1.2.2 低功耗高线性混频器的研究现状 | 第21-25页 |
1.3 本文研究的主要内容 | 第25-26页 |
1.4 本文的组织架构 | 第26-27页 |
第2章 接收机射频前端电路理论基础 | 第27-41页 |
2.1 引言 | 第27页 |
2.2 无线接收机基本结构 | 第27-28页 |
2.2.1 超外差结构 | 第27-28页 |
2.2.2 零中频结构 | 第28页 |
2.2.3 低中频结构 | 第28页 |
2.3 金属氧化物半导体场效应晶体管基本原理 | 第28-30页 |
2.3.1 NMOS管伏安特性 | 第29页 |
2.3.2 NMOS管的小信号跨导 | 第29-30页 |
2.4 低噪声放大器主要性能指标 | 第30-38页 |
2.4.1 散射参数 | 第30-31页 |
2.4.2 噪声系数 | 第31-35页 |
2.4.3 线性度 | 第35-38页 |
2.4.4 稳定性 | 第38页 |
2.5 混频器主要性能指标 | 第38-40页 |
2.5.1 增益 | 第39页 |
2.5.2 噪声系数 | 第39页 |
2.5.3 线性度 | 第39-40页 |
2.5.4 隔离特性 | 第40页 |
2.6 小结 | 第40-41页 |
第3章 低功耗高增益的超宽带低噪声放大器 | 第41-58页 |
3.1 引言 | 第41页 |
3.2 电路带宽的扩展 | 第41-43页 |
3.3 低电压低功耗的实现 | 第43-45页 |
3.4 提出的低噪声放大器电路 | 第45-46页 |
3.5 电路分析 | 第46-50页 |
3.5.1 输入匹配 | 第46-47页 |
3.5.2 输出匹配 | 第47-48页 |
3.5.3 噪声分析 | 第48-49页 |
3.5.4 增益分析 | 第49-50页 |
3.6 仿真结果与分析 | 第50-56页 |
3.7 与相关文献的性能比较 | 第56-57页 |
3.8 小结 | 第57-58页 |
第4章 低功耗高线性的超宽带低噪声放大器 | 第58-72页 |
4.1 引言 | 第58页 |
4.2 提出的低噪声放大器电路 | 第58-59页 |
4.3 电路分析 | 第59-66页 |
4.3.1 噪声消除与非线性抑制 | 第59-63页 |
4.3.2 匹配分析 | 第63页 |
4.3.3 线性度分析 | 第63-66页 |
4.3.4 增益分析 | 第66页 |
4.4 仿真结果与分析 | 第66-70页 |
4.5 与相关文献的性能比较 | 第70-71页 |
4.6 小结 | 第71-72页 |
第5章 低功耗高线性高增益的混频器 | 第72-85页 |
5.1 引言 | 第72页 |
5.2 提出的混频器电路 | 第72-73页 |
5.3 电路分析 | 第73-81页 |
5.3.1 转换增益 | 第73-76页 |
5.3.2 线性度分析 | 第76-78页 |
5.3.3 噪声分析 | 第78-81页 |
5.4 仿真结果与分析 | 第81-83页 |
5.5 与相关文献的性能比较 | 第83-84页 |
5.6 小结 | 第84-85页 |
第6章 低功耗高线性低噪声的次谐波巴伦混频器 | 第85-103页 |
6.1 引言 | 第85页 |
6.2 提出的混频器电路 | 第85-86页 |
6.3 电路分析 | 第86-97页 |
6.3.1 基于放大器的次谐波巴伦 | 第86-89页 |
6.3.2 基于噪声消除和非线性抑制的跨导级 | 第89-95页 |
6.3.3 电流注入技术 | 第95-97页 |
6.4 仿真与测试结果对比分析 | 第97-101页 |
6.5 与相关文献的性能比较 | 第101-102页 |
6.6 小结 | 第102-103页 |
结论 | 第103-105页 |
参考文献 | 第105-113页 |
附录A 攻读博士学位期间所发表的学术论文目录 | 第113-114页 |
附录B 攻读博士学位期间所参与的学术科研活动 | 第114-115页 |
致谢 | 第115页 |