| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 APD结构的演变 | 第7-9页 |
| 1.3 APD的研究现状 | 第9-11页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 硅基APD的基本理论 | 第12-17页 |
| 2.1 APD基本理论 | 第12-13页 |
| 2.2 耗尽区电场分布 | 第13-15页 |
| 2.3 APD的性能参数 | 第15-17页 |
| 2.4 本章小结 | 第17页 |
| 第三章 APD结构优化设计 | 第17-28页 |
| 3.1 多层膜结构设计 | 第17-24页 |
| 3.2 器件结构内部的优化设计 | 第24-26页 |
| 3.3 本章小结 | 第26-28页 |
| 第四章 APD结构工艺模拟 | 第28-40页 |
| 4.1 SilvacoTCAD | 第28-29页 |
| 4.2 Si基新结构APD | 第29-30页 |
| 4.3 APD结构的工艺仿真 | 第30-36页 |
| 4.4 ATLAS仿真结果与分析 | 第36-39页 |
| 4.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 总结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 学术研究成果 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |