| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 微通道板概述 | 第9-12页 |
| 1.1.1 MCP结构与工作原理 | 第9页 |
| 1.1.2 MCP的应用 | 第9-11页 |
| 1.1.3 MCP制备技术发展 | 第11-12页 |
| 1.2 硅微通道板技术 | 第12-16页 |
| 1.2.1 硅微通道板的特点 | 第12-13页 |
| 1.2.2 硅微通道阵列制备方法 | 第13-15页 |
| 1.2.3 硅微通道阵列电化学腐蚀研究进展 | 第15-16页 |
| 1.3 研究内容与意义 | 第16-18页 |
| 1.3.1 主要研究内容 | 第16-17页 |
| 1.3.2 研究意义 | 第17-18页 |
| 第二章 n型宏孔硅光电化学腐蚀原理及电化学分析方法 | 第18-25页 |
| 2.1 HF溶液中宏孔硅的溶解过程 | 第18-19页 |
| 2.2 n型宏孔硅形成机理 | 第19-22页 |
| 2.3 电化学分析方法 | 第22-24页 |
| 2.3.1 线性扫描伏安法 | 第22-23页 |
| 2.3.2 Mott-Schottky曲线扫描法 | 第23页 |
| 2.3.3 电化学阻抗谱法 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 光激发特性对光电化学腐蚀影响研究 | 第25-36页 |
| 3.1 硅光电化学腐蚀光谱响应特性研究 | 第25-30页 |
| 3.1.1 硅光电化学腐蚀光谱响应曲线 | 第25-28页 |
| 3.1.2 光源对光激发特性影响研究 | 第28-30页 |
| 3.2 欧姆接触层对光激发特性的影响研究 | 第30-34页 |
| 3.2.1 欧姆接触制备工艺对光激发特性影响研究 | 第30-32页 |
| 3.2.2 氧化工艺对光激发特性影响研究 | 第32-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 温度对硅微通道阵列光电化学腐蚀影响研究 | 第36-42页 |
| 4.1 温度对硅微通道阵列形貌的影响研究 | 第36-38页 |
| 4.2 温度对硅微通道阵列腐蚀速率影响研究 | 第38-40页 |
| 4.3 温度对暗电流的影响研究 | 第40-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 电解液组成对硅微通道阵列光电化学腐蚀影响研究 | 第42-55页 |
| 5.1 HF溶液浓度对光电化学腐蚀的影响研究 | 第42-43页 |
| 5.1.1 HF溶液浓度对通道形貌的影响 | 第42页 |
| 5.1.2 HF溶液浓度对腐蚀速率的影响 | 第42-43页 |
| 5.2 乙醇对光电化学腐蚀的影响研究 | 第43-45页 |
| 5.3 表面活性剂对光电化学腐蚀的影响研究 | 第45-54页 |
| 5.3.1 表面活性剂对电化学腐蚀速率的影响 | 第46-47页 |
| 5.3.2 不同类型表面活性剂下的表观活化能 | 第47-51页 |
| 5.3.3 表面活性剂对n-Si/HF界面的影响 | 第51-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 硅微通道阵列整形技术研究 | 第55-63页 |
| 6.1 硅微通道阵列整形技术的必要性 | 第55-56页 |
| 6.2 硅微通道阵列整形技术研究 | 第56-62页 |
| 6.2.1 硅微通道阵列整形实验 | 第56-57页 |
| 6.2.2 硅微通道阵列TMAH溶液腐蚀特性研究 | 第57-61页 |
| 6.2.3 高开口面积比硅微通道阵列的制备 | 第61-62页 |
| 6.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第69页 |