| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-51页 |
| 1.1 卤化物钙钛矿材料概述 | 第12-22页 |
| 1.1.1 卤化物钙钛矿的晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.1.2 电子结构 | 第14-18页 |
| 1.1.3 材料性能 | 第18-21页 |
| 1.1.4 AX-BX_2体系中的其他化合物 | 第21-22页 |
| 1.2 钙钛矿材料的制备方法 | 第22-29页 |
| 1.2.1 块材单晶的制备方法 | 第22-25页 |
| 1.2.2 CsPbX_3纳米材料的制备方法 | 第25-29页 |
| 1.3. 钙钛矿在光电器件中的应用 | 第29-32页 |
| 1.3.1 发光二极管(LED) | 第29-30页 |
| 1.3.2 激光 | 第30-31页 |
| 1.3.3 光伏 | 第31-32页 |
| 1.3.4 光催化 | 第32页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-51页 |
| 第二章 溶剂与前驱物比例对CsBr-PbBr_2体系合成物的影响 | 第51-78页 |
| 2.1 研究背景 | 第51-52页 |
| 2.2 样品的制备与表征方法 | 第52-59页 |
| 2.2.1 样品制备 | 第52-53页 |
| 2.2.2 CPBs单晶物性表征 | 第53-59页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第59-68页 |
| 2.3.1 CPBs单晶的结构与光学性能表征 | 第59-61页 |
| 2.3.2 前驱物比例对CsBr-PbBr_2体系产物的影响 | 第61-63页 |
| 2.3.3 溶剂对产物中铅(Ⅱ)配位结构的影响 | 第63-67页 |
| 2.3.4 溶剂对液相中铅(Ⅱ)配位结构的影响 | 第67-68页 |
| 2.4 溶剂影响产物的机理分析 | 第68-70页 |
| 2.5 水溶剂诱导相变 | 第70-72页 |
| 2.5.1 CPBs相变的原位XRD观察 | 第70-71页 |
| 2.5.2 机理分析 | 第71-72页 |
| 2.6 本章小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第三章 CsPbBr_3纳米线的合成与性能表征 | 第78-95页 |
| 3.1 研究背景 | 第78-79页 |
| 3.2 样品制备 | 第79-80页 |
| 3.3 表征样品的仪器 | 第80页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第80-88页 |
| 3.4.1 不同温度下制备一维,二维和零维结构 | 第80-81页 |
| 3.4.2 CsPbBr_3纳米线生长方向确认 | 第81-82页 |
| 3.4.3 生长过程观察与分析 | 第82-83页 |
| 3.4.4 表面活性剂的作用 | 第83-85页 |
| 3.4.5 热调控纳米线直径 | 第85-88页 |
| 3.5 纳米线直径和激子束缚能的估算 | 第88-91页 |
| 3.6 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第四章 应变对纳米线中的暗态-亮态激子劈裂能的调制 | 第95-118页 |
| 4.1 研究背景 | 第95-96页 |
| 4.2 样品制备与表征样品的仪器 | 第96-97页 |
| 4.3 确认电子-空穴交换作用导致的激子暗态-亮态劈裂 | 第97-104页 |
| 4.3.1 暗态-亮态劈裂的证明 | 第97-100页 |
| 4.3.2 证明激子暗态-亮态的劈裂来自电子-空穴库伦交换作用 | 第100-104页 |
| 4.4 应变和暗态-亮态劈裂之间关系 | 第104-106页 |
| 4.5 80-280K范围内应变的变化普遍存在 | 第106页 |
| 4.6 负热淬灭现象 | 第106-110页 |
| 4.7 纳米线尺寸对荧光效率的调控 | 第110页 |
| 4.8 理论分析 | 第110-113页 |
| 4.9 本章小结 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-118页 |
| 第五章 展望 | 第118-120页 |
| 攻读博士期间发表论文情况 | 第120-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
