| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-37页 |
| 第一节 拓扑能带理论 | 第12-19页 |
| 1.1 整数量子霍尔态 | 第12-14页 |
| 1.2 量子反常霍尔态 | 第14-15页 |
| 1.3 量子自旋霍尔态 | 第15-17页 |
| 1.4 三维拓扑绝缘体 | 第17-18页 |
| 1.5 Weyl semimetal | 第18-19页 |
| 第二节 拓扑不变量计算 | 第19-30页 |
| 2.1 Berry curvature | 第19-21页 |
| 2.2 陈数(或TKNN不变量) | 第21-26页 |
| 2.3 Z_2不变量 | 第26-27页 |
| 2.4 自旋陈数 | 第27-30页 |
| 第三节 边缘态 | 第30-32页 |
| 3.1 chiral边缘态 | 第30-31页 |
| 3.2 helical边缘态 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-37页 |
| 第二章 时间反演对称破缺的量子自旋霍尔效应 | 第37-56页 |
| 第一节 研究背景 | 第37-38页 |
| 第二节 理论模型 | 第38-43页 |
| 第三节 时间反演对称破缺的量子自旋霍尔效应 | 第43-53页 |
| 3.1 系统自旋陈数计算及相图 | 第43-47页 |
| 3.2 边缘态 | 第47-50页 |
| 3.3 时间反演对称破缺的量子自旋霍尔态到普通绝缘体态的转变 | 第50-51页 |
| 3.4 无序情况下时间反演对称破缺的量子自旋霍尔系统的稳定性 | 第51-53页 |
| 第四节 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章 伴随能隙闭合和不闭合的拓扑相变 | 第56-70页 |
| 第一节 研究背景 | 第56-57页 |
| 第二节 理论模型 | 第57-61页 |
| 第三节 反常的拓扑相变 | 第61-66页 |
| 第四节 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第四章 铁磁/Be_2Se_3/铁磁绝缘体结构的量子磁电阻及拓扑相变 | 第70-87页 |
| 第一节 研究背景 | 第70-71页 |
| 第二节 理论模型 | 第71-75页 |
| 第三节 FI/Be_2Se_3/FI结构的量子磁电阻 | 第75-83页 |
| 3.1 两铁磁磁化方向沿z方向平行和反平行构型的量子磁电阻 | 第75-79页 |
| 3.2 交换场导致的拓扑相变 | 第79-83页 |
| 第四节 本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第五章 总结与展望 | 第87-90页 |
| 第一节 总结 | 第87-88页 |
| 第二节 展望 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 博士期间发表和待发表的论文 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-93页 |
