| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 GaN肖特基二极管国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3 GaN肖特基二极管存在的问题 | 第15-17页 |
| 1.3.1 GaN材料的掺杂问题 | 第15页 |
| 1.3.2 GaN材料的外延质量问题 | 第15-16页 |
| 1.3.3 AlGaN/GaN肖特基二极管的击穿问题 | 第16-17页 |
| 1.4 本文的章节安排 | 第17-18页 |
| 第2章 AlGaN/GaNSBD工作原理 | 第18-28页 |
| 2.1 极化效应 | 第18-20页 |
| 2.1.1 自发极化 | 第18-19页 |
| 2.1.2 压电极化 | 第19-20页 |
| 2.2 二维电子气来源 | 第20-22页 |
| 2.3 AlGaN/GaN二极管反向工作原理 | 第22-25页 |
| 2.3.1 金属半导体接触原理 | 第22-23页 |
| 2.3.2 热电子发射理论 | 第23-25页 |
| 2.3.3 雪崩击穿 | 第25页 |
| 2.4 AlGaN/GaN二极管正向工作原理 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 横向场板和浮空阶梯场板的仿真研究 | 第28-40页 |
| 3.1 横向场板研究 | 第28-32页 |
| 3.1.1 横向场板长度对器件特性的影响 | 第30-31页 |
| 3.1.2 钝化层厚度对器件特性的影响 | 第31-32页 |
| 3.2 浮空阶梯场板的研究 | 第32-33页 |
| 3.3 浮空阶梯场板结构的击穿特性分析 | 第33-37页 |
| 3.3.1 浮空阶梯场板的电场分布研究 | 第33-36页 |
| 3.3.2 浮空阶梯场板的沟道电子分布 | 第36-37页 |
| 3.4 浮空阶梯场板的优化 | 第37-38页 |
| 3.4.1 浮空阶梯场板钝化层厚度分析 | 第37-38页 |
| 3.4.2 浮空阶梯场板水平位置分析 | 第38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 阳极纵向场板的仿真研究 | 第40-49页 |
| 4.1 纵向场板结构 | 第40-41页 |
| 4.2 纵向场板击穿特性研究 | 第41-46页 |
| 4.2.1 纵向场板器件的反向特性 | 第41-42页 |
| 4.2.2 纵向场板对器件侧面电场的影响 | 第42-44页 |
| 4.2.3 纵向场板对沟道电场的影响 | 第44-46页 |
| 4.3 AVFP-SBD的载流子浓度分布的研究 | 第46-47页 |
| 4.4 纵向场板正向特性 | 第47-48页 |
| 4.5 本章总结 | 第48-49页 |
| 第5章 ALVFP-SBD和深电极的仿真研究 | 第49-60页 |
| 5.1 ALFP-SBD和ALVFP-SBD的器件设计 | 第49-50页 |
| 5.2 ALFP-SBD和ALVFP-SBD的击穿特性研究 | 第50-53页 |
| 5.3 深电极的研究 | 第53-57页 |
| 5.3.1 深电极的反向特性研究 | 第53-55页 |
| 5.3.2 深电极的正向特性研究 | 第55-57页 |
| 5.4 AlGaN/GaN肖特基深电极器件的制作工艺 | 第57-58页 |
| 5.5 AlGaN/GaN肖特基势垒二极管温度特性 | 第58-59页 |
| 5.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
