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基于拓扑绝缘体的拓扑约瑟夫森结的超流性质

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 绪论第8-11页
第2章 拓扑绝缘体简介第11-17页
    2.1 量子自旋霍尔效应----二维拓扑绝缘体与边缘态第11-14页
    2.2 三维拓扑绝缘体与表面态第14-15页
    2.3 超导和铁磁邻近效应第15-17页
第3章 BTK理论和约瑟夫森效应第17-22页
    3.1 Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程第17-18页
    3.2 Andreev反射第18-20页
    3.3 Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论第20-21页
    3.4 约瑟夫森效应第21-22页
第4章 基于狭窄的二维拓扑绝缘体的超导/正常/超导约瑟夫森结的超流性质第22-35页
    4.1 研究背景第22-23页
    4.2 模型与解析推导第23-26页
    4.3 结果与讨论第26-34页
        4.3.1 门电压控制的π拓扑Josephson结和相位蓄电池(phasebattery)第26-29页
        4.3.2 门电压控制的超流整流器(supercurrent rectifier)第29-34页
    4.4 本章小结第34-35页
第5章 基于三维拓扑绝缘体的超导/铁磁/正常/铁磁/超导约瑟夫森结的超流性质第35-48页
    5.1 研究背景第35-36页
    5.2 模型与解析推导第36-40页
    5.3 结果与讨论第40-47页
        5.3.1 磁化方向夹角控制的π拓扑Josephson结和相位蓄电池(phasebattery)第40-44页
        5.3.2 平行磁构型下,磁交换场的y分量控制的超流开关效应第44-45页
        5.3.3 磁交换场的y分量作用下的超流自旋阀效应(supercurrentspin valve effect)第45-47页
    5.4 本章小结第47-48页
第6章 总结与展望第48-50页
参考文献第50-55页
在读期间发表的学术论文及研究成果第55-56页
致谢第56页

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