| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-31页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 半导体纳米材料与ZnS纳米结构简介 | 第16-19页 |
| 1.2.1 纳米材料简介 | 第16-18页 |
| 1.2.2 一维ZnS纳米结构 | 第18-19页 |
| 1.3 纳米材料的合成方法 | 第19-23页 |
| 1.3.1 气相沉积法及一维ZnS纳米结构的气相合成 | 第19-20页 |
| 1.3.2 液相合成法及一维ZnS纳米结构的液相合成 | 第20-21页 |
| 1.3.3 纳米结构的生长机制 | 第21-23页 |
| 1.4 半导体纳米材料的应用 | 第23-29页 |
| 1.4.1 纳米器件的发展及研究现状 | 第23-28页 |
| 1.4.2 一维ZnS纳米结构的应用研究现状 | 第28-29页 |
| 1.5 本课题研究意义 | 第29-31页 |
| 第二章 n型掺杂ZnS纳米带的可控合成及表征 | 第31-42页 |
| 2.1 实验药品与实验设备 | 第31-36页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第31页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第31-36页 |
| 2.2 n-ZnS纳米带的制备 | 第36-37页 |
| 2.2.1 准一维ZnS纳米结构的掺杂 | 第36页 |
| 2.2.2 Cl掺杂ZnS纳米带的合成 | 第36-37页 |
| 2.3 ZnS：Cl纳米带的表征 | 第37-41页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第37-38页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜(TEM) | 第38-39页 |
| 2.3.3 X射线衍射分析(XRD) | 第39-40页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第40-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 n-ZnS纳米带底栅带场效应管的制备及表征 | 第42-49页 |
| 3.1 分散纳米带 | 第42-43页 |
| 3.2 电极制备 | 第43-46页 |
| 3.2.1 Shadow mask模板法 | 第43-44页 |
| 3.2.2 光刻法 | 第44-46页 |
| 3.3 基于n型ZnS纳米带的底栅场效应器件 | 第46-48页 |
| 3.3.1 欧姆接触的形成 | 第46页 |
| 3.3.2 退火处理对接触的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.3 Cl掺杂ZnS纳米带底栅场效应晶体管的电学特性 | 第47-48页 |
| 3.4 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 n-ZnS纳米带的肖特基器件 | 第49-56页 |
| 4.1 基于ZnS纳米带的肖特基器件的制备 | 第50-51页 |
| 4.2 基于ZnS纳米带肖特基势垒二极管的表征 | 第51-52页 |
| 4.3 基于n型ZnS纳米带的肖特基势垒二极管的紫外光响应特性 | 第52-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 总结 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第63页 |
