激光选区熔化增材制造IN625镍基高温合金工艺研究
摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第一章 绪论 | 第9-18页 |
1.1 课题研究的背景及意义 | 第9-10页 |
1.2 增材制造的发展情况 | 第10-11页 |
1.3 增材制造技术 | 第11-14页 |
1.3.1 选择性激光烧结技术 | 第11-12页 |
1.3.2 三维打印技术 | 第12页 |
1.3.3 激光近净成形技术 | 第12页 |
1.3.4 直接金属沉积技术 | 第12页 |
1.3.5 射流电铸快速成形技术 | 第12-13页 |
1.3.6 各种技术方法的对比 | 第13-14页 |
1.4 SLM技术的介绍及优势 | 第14-16页 |
1.4.1 SLM技术的加工原理 | 第14页 |
1.4.2 SLM技术的激光器 | 第14页 |
1.4.3 SLM技术的扫描方式 | 第14-15页 |
1.4.4 SLM技术的设备介绍 | 第15-16页 |
1.4.5 SLM技术的优势 | 第16页 |
1.5 课题研究的内容 | 第16-18页 |
第二章 SLM技术的金属粉末烧结原理 | 第18-29页 |
2.1 激光与金属粉末材料的相互作用 | 第18-19页 |
2.1.1 激光与金属粉末相互作用原理 | 第18页 |
2.1.2 金属粉末吸收能量及被加热过程 | 第18-19页 |
2.2 金属粉末烧结过程 | 第19-20页 |
2.2.1 金属粉末表面局部熔化阶段 | 第19-20页 |
2.2.2 熔池形成阶段 | 第20页 |
2.2.3 快速凝固阶段 | 第20页 |
2.3 液相烧结理论 | 第20-23页 |
2.3.1 液相烧结条件 | 第20-21页 |
2.3.2 液相烧结过程中的作用力 | 第21-22页 |
2.3.3 液相烧结过程 | 第22-23页 |
2.4 材料因素对增材制造的影响 | 第23-24页 |
2.4.1 材料的吸收率 | 第23页 |
2.4.2 材料的热导率 | 第23页 |
2.4.3 金属粉末形貌 | 第23-24页 |
2.5 IN625镍基高温合金的性能 | 第24-26页 |
2.5.1 物理化学性能 | 第24-25页 |
2.5.2 镍基合金组织 | 第25页 |
2.5.3 IN625的化学成分及强化原理 | 第25-26页 |
2.5.4 对IN625金属粉末烧结性能的分析 | 第26页 |
2.6 SLM技术的液相烧结 | 第26-27页 |
2.6.1 微熔粘结 | 第26-27页 |
2.6.2 球化效应的影响因素 | 第27页 |
2.6.3 “飞溅”现象的影响因素 | 第27页 |
2.7 本章小结 | 第27-29页 |
第三章 工艺参数对熔线的影响 | 第29-41页 |
3.1 试验准备 | 第29-30页 |
3.2 试验结果 | 第30-37页 |
3.2.1 扫描速度对熔线宽度的影响 | 第30-31页 |
3.2.2 激光功率对熔线宽度的影响 | 第31-32页 |
3.2.3 对熔线宽度的拟合 | 第32-33页 |
3.2.4 工艺参数对球化效应的影响 | 第33-34页 |
3.2.5 工艺参数对“飞溅”现象的影响 | 第34-35页 |
3.2.6 变异系数对熔线均匀性的影响 | 第35-37页 |
3.3 分析讨论 | 第37-39页 |
3.3.1 工艺参数与微熔粘结 | 第37页 |
3.3.2 工艺参数对球化效应影响的分析 | 第37页 |
3.3.3 工艺参数对“飞溅”现象影响的分析 | 第37页 |
3.3.4 影响熔线宽度变化的因素 | 第37-38页 |
3.3.5 熔线的均匀性 | 第38页 |
3.3.6 熔线的连续性 | 第38-39页 |
3.3.7 实际加工中工艺参数的选择 | 第39页 |
3.4 本章小结 | 第39-41页 |
第四章 用ANSYS模拟温度场 | 第41-50页 |
4.0 SLM技术的温度场数值模拟现状 | 第41-42页 |
4.1 相关假设 | 第42页 |
4.2 模拟分析 | 第42-44页 |
4.2.1 SLM技术热源的数学模型 | 第42-43页 |
4.2.2 模拟的初始条件和边界条件 | 第43页 |
4.2.3 模拟过程 | 第43-44页 |
4.3 模拟结果 | 第44-47页 |
4.4 分析讨论 | 第47-48页 |
4.4.1 工艺参数对温度场的影响 | 第47页 |
4.4.2 温度场与微熔粘结 | 第47页 |
4.4.3 温度场与球化效应 | 第47页 |
4.4.4 温度场与“飞溅”现象 | 第47-48页 |
4.4.5 温度场与熔线连续性和均匀性 | 第48页 |
4.5 本章小结 | 第48-50页 |
结论 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-53页 |
致谢 | 第53页 |